单 FET,MOSFET

结果 : 21
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 5StrongIRFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)260mA(Ta)3.4A(Ta)12A(Ta),50A(Tc)14A(Ta),20A(Tc)15A(Ta),50A(Tc)17A(Ta),71A(Tc)19A(Ta),100A(Tc)24A(Ta),100A(Tc)25.4A(Ta),100A(Tc)27A(Ta),120A(Tc)30A(Ta),100A(Tc)37A(Ta),288A(Tc)46A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V5V6V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.15 毫欧 @ 50A,10V1.6 毫欧 @ 50A,10V1.9 毫欧 @ 25A,10V2.5 毫欧 @ 50A,10V2.8 毫欧 @ 50A,10V3 毫欧 @ 50A,10V3.1 毫欧 @ 20A,10V3.1 毫欧 @ 50A,10V3.2 毫欧 @ 75A,10V3.4 毫欧 @ 50A,10V3.9 毫欧 @ 50A,10V6.1 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 10µA1.5V @ 1mA2V @ 250µA2.2V @ 23µA2.2V @ 35µA2.3V @ 115µA2.3V @ 116µA2.3V @ 14µA2.3V @ 250µA2.35V @ 50µA2.5V @ 250µA2.8V @ 36µA2.8V @ 95µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.81 nC @ 5 V2.9 nC @ 4.5 V3.1 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V27 nC @ 10 V40.7 nC @ 10 V41 nC @ 10 V45 nC @ 10 V46 nC @ 4.5 V49 nC @ 10 V55 nC @ 4.5 V67 nC @ 10 V71 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
26.7 pF @ 25 V50 pF @ 25 V270 pF @ 24 V1300 pF @ 30 V1400 pF @ 25 V2000 pF @ 30 V3180 pF @ 10 V3230 pF @ 75 V3375 pF @ 30 V3500 pF @ 30 V5100 pF @ 30 V5200 pF @ 30 V6460 pF @ 25 V6500 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)300mW(Tj)1.3W(Ta)2.1W(Ta),69W(Tc)2.5W(Ta),125W(Tc)2.5W(Ta),139W(Tc)2.5W(Ta),156W(Tc)2.5W(Ta),50W(Tc)2.5W(Ta),69W(Tc)3W(Ta),100W(Tc)3W(Ta),188W(Tc)3.6W(Ta),59W(Tc)3.6W(Ta),61W(Tc)6.25W(Ta),104W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)Micro3™/SOT-23PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-17PG-TDSON-8-5PG-TDSON-8-6PG-TDSON-8-7PG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® SO-8PQFN(5x6)SOT-23-3(TO-236)TO-263(D2PAK)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
21结果

显示
/ 21
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
460,858
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32434
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
135,414
现货
996,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52959
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
5V
3.5 欧姆 @ 200mA,5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Infineon Technologies
77,662
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83415
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.4A(Ta)
2.5V,4.5V
63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
1.1V @ 10µA
2.9 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 24 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C670NLT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
onsemi
23,129
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.25111
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
17A(Ta),71A(Tc)
4.5V,10V
6.1 毫欧 @ 35A,10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),61W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
TSDSON-8
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Infineon Technologies
19,549
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.97948
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
46A(Tc)
4.5V,10V
9.9 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 14µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Infineon Technologies
12,138
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.76314
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 50A,10V
2.2V @ 23µA
45 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-TSDSON
BSZ067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Infineon Technologies
13,116
现货
1 : ¥11.66000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.60718
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
14A(Ta),20A(Tc)
4.5V,10V
6.7 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 35µA
67 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
BSC067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Infineon Technologies
8,656
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.04484
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
15A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
6.7 毫欧 @ 50A,10V
2.2V @ 35µA
67 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC039N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Infineon Technologies
13,613
现货
1 : ¥14.37000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.24087
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
19A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
3.9 毫欧 @ 50A,10V
2.8V @ 36µA
27 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
StrongIRFET Series
IRFH7085TRPBF
MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Infineon Technologies
5,803
现货
1 : ¥16.34000
剪切带(CT)
4,000 : ¥7.35258
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
6V,10V
3.2 毫欧 @ 75A,10V
3.7V @ 150µA
165 nC @ 10 V
±20V
6460 pF @ 25 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8
SI7141DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
26,568
现货
1 : ¥18.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.27123
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
60A(Tc)
4.5V,10V
1.9 毫欧 @ 25A,10V
2.3V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±20V
14300 pF @ 10 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PG-TDSON-8-1
BSC031N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Infineon Technologies
14,605
现货
1 : ¥19.13000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.28720
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
10V
3.1 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 93µA
130 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN
BSC016N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
33,662
现货
1 : ¥20.77000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.02274
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
1.6 毫欧 @ 50A,10V
2.8V @ 95µA
71 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC028N06NSTATMA1
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Infineon Technologies
20,471
现货
1 : ¥21.26000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.22334
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
2.8 毫欧 @ 50A,10V
3.3V @ 50µA
49 nC @ 10 V
±20V
3375 pF @ 30 V
-
3W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC030P03NS3GAUMA1
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Infineon Technologies
20,397
现货
1 : ¥22.17000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.60224
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25.4A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
3 毫欧 @ 50A,10V
3.1V @ 345µA
186 nC @ 10 V
±25V
14000 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-17
ISC011N06LM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Infineon Technologies
19,949
现货
1 : ¥30.54000
剪切带(CT)
5,000 : ¥14.25234
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
37A(Ta),288A(Tc)
4.5V,10V
1.15 毫欧 @ 50A,10V
2.3V @ 116µA
170 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 30 V
-
3W(Ta),188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-17
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC034N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Infineon Technologies
26,815
现货
1 : ¥30.87000
剪切带(CT)
5,000 : ¥14.06005
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 50A,10V
2.3V @ 115µA
46 nC @ 4.5 V
±20V
6500 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Infineon Technologies
3,870
现货
1 : ¥30.87000
剪切带(CT)
5,000 : ¥14.40935
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
87A(Tc)
8V,10V
9.3 毫欧 @ 44A,10V
4.6V @ 107µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
3230 pF @ 75 V
-
139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Vishay Siliconix
46,437
现货
1 : ¥36.70000
剪切带(CT)
800 : ¥22.15620
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
110A(Tc)
4.5V,10V
11.2 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
10850 pF @ 40 V
-
13.6W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-Power TDFN
BSC025N08LS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Infineon Technologies
7,600
现货
1 : ¥29.88000
剪切带(CT)
5,000 : ¥13.60017
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 50A,10V
2.3V @ 115µA
55 nC @ 4.5 V
±20V
7500 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
IRFH8318TRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Infineon Technologies
19,425
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.41473
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
27A(Ta),120A(Tc)
4.5V,10V
3.1 毫欧 @ 20A,10V
2.35V @ 50µA
41 nC @ 10 V
±20V
3180 pF @ 10 V
-
3.6W(Ta),59W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。