单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）660mA（Ta）4A（Ta）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.02 毫欧 @ 30A，10V33 毫欧 @ 4A，4.5V480 毫欧 @ 780mA，4.5V2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.2V @ 250µA2V @ 14µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 25 V170 pF @ 16 V410 pF @ 10 V1179 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）350mW（Ta）1W（Ta）42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8SOT-23-3（TO-236）SOT-23FSOT-723
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-23-3 扁平引线SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
526,702
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
11,263
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.70373
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Tc）
4.5V，10V
4.02 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 14µA
20 nC @ 10 V
±16V
1179 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
SOT-23-3 Flat Leads
SSM3K345R,LF
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
25,535
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.72009
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
33 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
3.6 nC @ 4.5 V
±8V
410 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-723_631AA
NTK3139PT1G
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
onsemi
55,887
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.83712
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
660mA（Ta）
1.5V，4.5V
480 毫欧 @ 780mA，4.5V
1.2V @ 250µA
-
±6V
170 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。