单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
680mA（Ta）1.25A（Ta）11A（Ta）21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4.5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.5 毫欧 @ 11A，10V52 毫欧 @ 18A，10V170 毫欧 @ 1.25A，10V450 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V13.8 nC @ 10 V16 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V430 pF @ 30 V890 pF @ 75 V1205 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）500mW（Ta）2.5W（Ta）57W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICPG-TDSON-8-5SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
7,853
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
680mA（Ta）
2.7V，4.5V
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN5618P
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
onsemi
2,823
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14961
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.25A（Ta）
4.5V，10V
170 毫欧 @ 1.25A，10V
3V @ 250µA
13.8 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS6690A
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
onsemi
4,309
现货
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.46940
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
12.5 毫欧 @ 11A，10V
3V @ 250µA
16 nC @ 5 V
±20V
1205 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-Power TDFN
BSC520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5
Infineon Technologies
9,384
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.44874
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Tc）
8V，10V
52 毫欧 @ 18A，10V
4V @ 35µA
12 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 75 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。