单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）15.3A（Ta），38.3A（Tc）25A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 20A，10V7.5 毫欧 @ 10A，10V4.2 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 10 V21.5 nC @ 10 V33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 30 V1000 pF @ 15 V2000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
340mW（Ta），2.3W（Tc）2.1W（Ta），50W（Tc）3.2W（Ta），19.8W（Tc）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® 1212-8SOT-883
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8SC-101，SOT-883
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-101 SOT-883
NX138AKMYL
NX138AKM/SOT883/XQFN3
Nexperia USA Inc.
34,614
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.28193
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
2.5V，10V
4.2 欧姆 @ 190mA，10V
1.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
15 pF @ 30 V
-
340mW（Ta），2.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
TSDSON-8
BSZ0501NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Infineon Technologies
9,125
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.75688
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
2 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SIS472BDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Vishay Siliconix
2,236
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.71231
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15.3A（Ta），38.3A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
+20V，-16V
1000 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），19.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。