单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）25A（Ta）， 230A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.24 毫欧 @ 50A， 10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA3.3V @ 147µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V91 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V6880 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）3W（Ta）， 254W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSON-8-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2,948
现货
1 : ¥38.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.75796
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Ta）， 230A（Tc）
8V，10V
2.24 毫欧 @ 50A， 10V
3.3V @ 147µA
91 nC @ 10 V
±20V
6880 pF @ 50 V
-
3W（Ta）， 254W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
SOT 23-3
BSS138-G
FET 50V 3.5 OHM SOT23
onsemi
13,144
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88907
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。