单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
8 V30 V40 V60 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）3.3A（Ta），7.8A（Tc）4A（Ta）4.1A（Ta）4.5A（Ta）4.6A（Tc）4.7A（Tc）6.6A（Ta）10A（Ta）10.6A（Ta），37.1A（Tc）15A（Tc）19A（Ta），100A（Tc）21A（Ta），34A（Tc）85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V4.5V，10V5V，10V6V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.85 毫欧 @ 20A，10V3.9 毫欧 @ 50A，10V4 毫欧 @ 20A，10V10 毫欧 @ 10A，10V16 毫欧 @ 20A，10V25 毫欧 @ 5A，10V85 毫欧 @ 3.5A，10V90 毫欧 @ 2A，1.8V100 毫欧 @ 4A，10V110 毫欧 @ 4.5A，10V120 毫欧 @ 3.2A，10V120 毫欧 @ 5A，6V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 12mA2.8V @ 36µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3 nC @ 6 V15 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V19.4 nC @ 10 V20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V27 nC @ 10 V37 nC @ 10 V40 nC @ 10 V45 nC @ 10 V53.1 nC @ 10 V65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-10V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V125 pF @ 400 V600 pF @ 30 V864 pF @ 30 V1030 pF @ 30 V1120 pF @ 30 V1140 pF @ 30 V1540 pF @ 15 V1950 pF @ 20 V2000 pF @ 30 V2569 pF @ 30 V3100 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）370mW（Ta）1.2W（Ta）1.5W（Ta）1.7W（Ta）2.4W（Ta），5W（Tc）2.5W（Ta），69W（Tc）3W（Ta），37.5W（Tc）3.1W（Ta）3.1W（Ta），31W（Tc）3.75W（Tc）50W（Tc）192W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）8-DFN（5x6）8-SO8-SOICPG-TDSON-8-6PowerDI5060-8PowerFlat™（5x6）HVSOT-23SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
419,798
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-DFN
AON7522E
MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2,589
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.45110
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），34A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1540 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
177,745
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.68784
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
DMP6023LSS-13
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Diodes Incorporated
13,554
现货
220,000
工厂
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.60545
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.6A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI9407BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Vishay Siliconix
20,146
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.66042
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.7A（Tc）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 3.2A，10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 30 V
-
2.4W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-Power TDFN
BSC039N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Infineon Technologies
13,613
现货
1 : ¥14.37000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.24087
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
19A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
3.9 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 36µA
27 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
SOT 23
SI2305-TP
MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
Micro Commercial Co
15,291
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73470
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
4.1A（Ta）
4.5V
90 毫欧 @ 2A，1.8V
900mV @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
47,212
现货
60,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.54106
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.5A（Ta）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
19.4 nC @ 10 V
±20V
1030 pF @ 30 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
DMPH4015SPSQ-13
DMTH6016LPS-13
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Diodes Incorporated
2,815
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.65724
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.6A（Ta），37.1A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
3W（Ta），37.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
11,811
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.96148
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Ta）
4.5V，10V
100 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1120 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-DFN
AON6312
MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,144
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.54270
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
85A（Tc）
4.5V，10V
1.85 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 15 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
8-SOIC
SQ9407EY-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
12,302
现货
1 : ¥9.36000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.49944
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.6A（Tc）
4.5V，10V
85 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1140 pF @ 30 V
-
3.75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
940
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.78424
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.3A（Ta），7.8A（Tc）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
19.4 nC @ 10 V
±20V
1030 pF @ 30 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SGT120R65AL
SGT120R65AL
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥40.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥19.78881
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
15A（Tc）
6V
120 毫欧 @ 5A，6V
2.6V @ 12mA
3 nC @ 6 V
+6V，-10V
125 pF @ 400 V
-
192W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）HV
8-PowerVDFN
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。