单 FET,MOSFET

结果 : 23
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®MDmesh™ IIMESH OVERLAY™ IIQFET®SuperMESH™
包装
散装管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V55 V60 V100 V200 V400 V500 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA(Ta)5.4A(Tc)9A(Tc)10A(Tc)10.5A(Tc)11A(Tc)14A(Tc)17A(Tc)18A(Tc)20A(Tc)23A(Tc)33A(Tc)49A(Tc)74A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.5 毫欧 @ 40A,10V8 毫欧 @ 62A,10V17.5 毫欧 @ 25A,10V20 毫欧 @ 38A,10V44 毫欧 @ 16A,10V90 毫欧 @ 9A,10V117 毫欧 @ 11A,10V150 毫欧 @ 11A,10V165 毫欧 @ 10A,10V200 毫欧 @ 8.4A,10V270 毫欧 @ 10A,10V270 毫欧 @ 12A,10V400 毫欧 @ 4.5A,10V500 毫欧 @ 6.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 100µA3V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 50µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
26 nC @ 10 V30 nC @ 10 V35 nC @ 10 V36 nC @ 10 V37 nC @ 10 V44 nC @ 10 V45 nC @ 10 V54 nC @ 4.5 V58 nC @ 10 V60 nC @ 10 V63 nC @ 10 V67 nC @ 10 V71 nC @ 10 V76 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
40 pF @ 10 V526 pF @ 100 V535 pF @ 25 V700 pF @ 25 V760 pF @ 25 V920 pF @ 25 V1030 pF @ 25 V1090 pF @ 25 V1160 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V1470 pF @ 25 V1800 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
830mW(Ta)3.1W(Ta),125W(Tc)70W(Tc)75W(Tc)79W(Tc)94W(Tc)125W(Tc)130W(Tc)135W(Tc)140W(Tc)147W(Tc)150W(Tc)200W(Tc)250W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-220TO-220-3TO-220ABTO-247ACTO-263(D2PAK)TO-92-3
封装/外壳
TO-220-3TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)TO-247-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
23结果

显示
/ 23
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF530NPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Infineon Technologies
41,237
现货
1 : ¥7.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 9A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Infineon Technologies
33,876
现货
1 : ¥7.63000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
14A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 8.4A,10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
61,503
现货
1 : ¥9.60000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
18A(Tc)
10V
150 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
23,130
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
49A(Tc)
10V
17.5 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
142,297
现货
1 : ¥10.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
33A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Infineon Technologies
5,704
现货
1 : ¥11.41000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
23A(Tc)
10V
117 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Infineon Technologies
22,368
现货
1 : ¥13.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
110A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 62A,10V
4V @ 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9640PBF
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Vishay Siliconix
27,454
现货
1 : ¥16.09000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
11A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 6.6A,10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF740PBF
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
2,816
现货
1 : ¥16.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
10A(Tc)
10V
550 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Infineon Technologies
44,375
现货
1 : ¥18.47000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
74A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 38A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
SIHG20N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Vishay Siliconix
6,654
现货
1 : ¥23.97000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
20A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 10A,10V
5V @ 250µA
76 nC @ 10 V
±30V
2942 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP460PBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
5,329
现货
1 : ¥37.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
20A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 25 V
-
280W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB PKG
IRLB4132PBF
MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Infineon Technologies
10,820
现货
1 : ¥8.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
78A(Tc)
4.5V,10V
3.5 毫欧 @ 40A,10V
2.35V @ 100µA
54 nC @ 4.5 V
±20V
5110 pF @ 15 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF740PBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
4,791
现货
1 : ¥11.33000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
10A(Tc)
10V
550 毫欧 @ 5.3A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF740BPBF
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
236
现货
1 : ¥11.74000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
10A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 5A,10V
5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
526 pF @ 100 V
-
147W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
IRF630
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
STMicroelectronics
13,621
现货
1 : ¥12.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
9A(Tc)
10V
400 毫欧 @ 4.5A,10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP7NK40Z
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB
STMicroelectronics
9,020
现货
1 : ¥13.96000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
5.4A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 2.7A,10V
4.5V @ 50µA
26 nC @ 10 V
±30V
535 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
FQP11N40C
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
onsemi
1,566
现货
1 : ¥17.65000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
10.5A(Tc)
10V
530 毫欧 @ 5.25A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±30V
1090 pF @ 25 V
-
135W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263AB
IRF740ASPBF
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Vishay Siliconix
3,123
现货
1 : ¥20.52000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
10A(Tc)
10V
550 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±30V
1030 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRF740APBF
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
798
现货
1 : ¥22.00000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
10A(Tc)
10V
550 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±30V
1030 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263AB
IRF740SPBF
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Vishay Siliconix
3,133
现货
1 : ¥22.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
10A(Tc)
10V
550 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
STP26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
STMicroelectronics
932
现货
1 : ¥50.24000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 50 V
-
140W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
BS170
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥3.37000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
500mA(Ta)
10V
5 欧姆 @ 200mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。