单 FET,MOSFET

结果 : 13
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
80 V100 V150 V200 V350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A(Ta)3A(Ta)5A(Ta)6.3A(Ta)8.2A(Ta)16A(Ta)18A(Ta)29A(Ta)48A(Tc)60A(Ta)101A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.8毫欧 @ 50A,5V3.2 毫欧 @ 25A,5V6 毫欧 @ 15A,5V6 毫欧 @ 16A,5V7 毫欧 @ 16A,5V13.5 毫欧 @ 11A,5V25 毫欧 @ 3A,5V43 毫欧 @ 1A,5V80 毫欧 @ 1A,5V100 毫欧 @ 3A,5V180 毫欧 @ 6A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1.5mA2.5V @ 14mA2.5V @ 1mA2.5V @ 3mA2.5V @ 4mA2.5V @ 5mA2.5V @ 600µA2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.83 nC @ 5 V1.3 nC @ 5 V2.1 nC @ 5 V4 nC @ 5 V4.3 nC @ 5 V4.5 nC @ 5 V6.5 nC @ 5 V7.4 nC @ 5 V13.8 nC @ 5 V17.8 nC @ 5 V23 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
+5.75V,-4V+6V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
88 pF @ 50 V140 pF @ 100 V258 pF @ 50 V407 pF @ 50 V573 pF @ 100 V575 pF @ 50 V628 pF @ 280 V685 pF @ 50 V851 pF @ 50 V2103 pF @ 75 V2703 pF @ 50 V3200 pF @ 50 V
供应商器件封装
7-QFN(3x5)模具
封装/外壳
7-PowerWQFN模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果

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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2203
EPC2203
GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
EPC
80,554
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.11259
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
80 V
1.7A(Ta)
5V
80 毫欧 @ 1A,5V
2.5V @ 600µA
0.83 nC @ 5 V
+5.75V,-4V
88 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
模具
模具
EPC2051
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
34,936
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.30106
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
1.7A(Ta)
5V
25 毫欧 @ 3A,5V
2.5V @ 1.5mA
2.1 nC @ 5 V
+6V,-4V
258 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
134,667
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.62446
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
8.2A(Ta)
5V
13.5 毫欧 @ 11A,5V
2.5V @ 3mA
4.5 nC @ 5 V
+6V,-4V
575 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
153,655
现货
1 : ¥16.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.87808
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
18A(Ta)
5V
13.5 毫欧 @ 11A,5V
2.5V @ 3mA
4 nC @ 5 V
+6V,-4V
407 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
503
现货
1 : ¥19.79000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.93294
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
29A(Ta)
5V
6 毫欧 @ 16A,5V
2.5V @ 4mA
7.4 nC @ 5 V
+6V,-4V
851 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2204A
EPC2204A
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
EPC
25,268
现货
1 : ¥23.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.71954
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
80 V
29A(Ta)
5V
6 毫欧 @ 16A,5V
2.5V @ 4mA
7.4 nC @ 5 V
+6V,-4V
851 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
7,290
现货
1 : ¥23.97000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.80774
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
200 V
5A(Ta)
5V
100 毫欧 @ 3A,5V
2.5V @ 1mA
1.3 nC @ 5 V
+6V,-4V
140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34,543
现货
1 : ¥30.79000
剪切带(CT)
2,500 : ¥14.97530
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
16A(Ta)
5V
7 毫欧 @ 16A,5V
2.5V @ 5mA
6.5 nC @ 5 V
+6V,-4V
685 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2050
EPC2050
TRANS GAN BUMPED DIE
EPC
12,643
现货
1 : ¥33.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥22.37191
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
350 V
6.3A(Ta)
5V
180 毫欧 @ 6A,5V
2.5V @ 1mA
4 nC @ 5 V
+6V,-4V
628 pF @ 280 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2065
EPC2088
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
EPC
2,063
现货
1 : ¥34.07000
剪切带(CT)
1,000 : ¥17.60805
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
100 V
60A(Ta)
5V
3.2 毫欧 @ 25A,5V
2.5V @ 7mA
17.8 nC @ 5 V
+6V,-4V
2703 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2308ENGRT
EPC2308ENGRT
TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
EPC
51,099
现货
1 : ¥51.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥27.51545
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
150 V
48A(Tc)
5V
6 毫欧 @ 15A,5V
2.5V @ 5mA
13.8 nC @ 5 V
+6V,-4V
2103 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
61,027
现货
1 : ¥54.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥36.28781
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
101A(Ta)
5V
1.8毫欧 @ 50A,5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V,-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
0
现货
查看交期
1 : ¥13.96000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.30682
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
200 V
3A(Ta)
5V
43 毫欧 @ 1A,5V
2.5V @ 1mA
4.3 nC @ 5 V
+6V,-4V
573 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。