单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）270mA（Ta），330mA（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.62 毫欧 @ 20A，10V2.8 欧姆 @ 200mA，10V12 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.7V @ 100µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 10 V188 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.1 pF @ 3 V23.6 pF @ 10 V9530 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
100mW（Ta）310mW（Ta），1.67W（Tc）104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SSMTO-236AB
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-75，SOT-416TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SIRA80DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
15,396
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.65753
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Tc）
4.5V，10V
0.62 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
188 nC @ 10 V
+20V，-16V
9530 pF @ 15 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-236AB
2N7002NXBKR
MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
26,782
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28332
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta），330mA（Tc）
5V，10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
310mW（Ta），1.67W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
17,710
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32005
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
12 欧姆 @ 10mA，4V
1.7V @ 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
100mW（Ta）
150°C
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。