单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Littelfuse Inc.Vishay Siliconix
系列
-Linear L2™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A(Ta)4.3A(Ta)80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
24 毫欧 @ 40A,10V48 毫欧 @ 4.3A,10V75 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA3V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 4.5 V16 nC @ 10 V103 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
400 pF @ 10 V830 pF @ 15 V3600 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)1.4W(Ta)357W(Tc)
供应商器件封装
4-MicrofootSOT-23-3TO-263AA
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式4-XFBGA,CSPBGATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3407A
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
867,444
现货
1 : ¥2.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.56344
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
48 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
830 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SI8824EDB-T2-E1
SI8824EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Vishay Siliconix
33,330
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90580
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
1.2V,4.5V
75 毫欧 @ 1A,4.5V
800mV @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±5V
400 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA,CSPBGA
TO-263AB
IXTA80N075L2
MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Littelfuse Inc.
546
现货
1 : ¥109.93000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
80A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 40A,10V
4.5V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 25 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。