单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
PowerTrench®U-MOSIIIU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A（Ta）3A（Ta）4A（Ta）12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V2.5V，4.5V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 4A，4.5V71 毫欧 @ 3A，10V100 毫欧 @ 500mA，4.5V105 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.1V @ 100µA2V @ 100µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.9 nC @ 10 V24 nC @ 10 V37.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
245 pF @ 10 V280 pF @ 15 V759 pF @ 30 V2700 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1W（Ta）1.25W（Ta）1.6W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）SOT-23FSuperSOT™-6UFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线6-WDFN 裸露焊盘SOT-23-3 扁平引线SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
144,725
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62271
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
4V，10V
71 毫欧 @ 3A，10V
2V @ 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SG6858TZ
FDC5614P
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
onsemi
11,290
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.75743
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
759 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
1,839
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30534
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
12A（Ta）
1.2V，4.5V
12 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
37.6 nC @ 4.5 V
±6V
2700 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
35,017
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10799
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.2A（Ta）
2.5V，4.5V
100 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.1V @ 100µA
-
±12V
245 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。