单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 10A，10V21.1 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19.2 nC @ 4.5 V65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1360 pF @ 10 V1960 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1W（Tc）2.5W（Ta），5.6W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICTSMT3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-96
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSMT3
RQ5C060BCTCL
MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Rohm Semiconductor
9,523
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.37503
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
4.5V
21.1 毫欧 @ 6A，4.5V
1.2V @ 1mA
19.2 nC @ 4.5 V
±8V
1360 pF @ 10 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
8-SOIC
SI4835DDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Vishay Siliconix
5,354
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.01128
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±25V
1960 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），5.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。