单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Littelfuse Inc.Micro Commercial CoRenesas Electronics CorporationVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V85 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tc）80A90A（Tc）96A（Tc）110A（Tc）120A（Tc）140A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.1 毫欧 @ 20A，10V8.4 毫欧 @ 20A，10V10.1 毫欧 @ 30A，10V11.2 毫欧 @ 20A，10V12 毫欧 @ 70A，10V13 毫欧 @ 48A，10V19 毫欧 @ 20A，10V40 毫欧 @ 7.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 4.5 V82 nC @ 10 V180 nC @ 10 V190 nC @ 10 V218 nC @ 10 V270 nC @ 10 V326 nC @ 10 V400 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±15V±18V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 10 V5450 pF @ 30 V7000 pF @ 50 V9600 pF @ 40 V10850 pF @ 40 V11100 pF @ 50 V13100 pF @ 25 V31400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta），25W（Tc）13.6W（Ta），375W（Tc）120W（Tj）298W（Tc）375W（Tc）568W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
供应商器件封装
TO-252TO-252（DPAK）TO-263（D2PAK）TO-263AATO-268AA
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263 (D2Pak)
SUM90P10-19L-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Vishay Siliconix
8,499
现货
1 : ¥35.63000
剪切带（CT）
800 : ¥21.49284
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
326 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 50 V
-
13.6W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Vishay Siliconix
46,437
现货
1 : ¥36.70000
剪切带（CT）
800 : ¥22.15620
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
110A（Tc）
4.5V，10V
11.2 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
10850 pF @ 40 V
-
13.6W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
SUM60061EL-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Vishay Siliconix
1,457
现货
1 : ¥46.80000
剪切带（CT）
800 : ¥28.27891
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
150A（Tc）
4.5V，10V
6.1 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
218 nC @ 10 V
±20V
9600 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IXTA96P085T-TRL
MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Littelfuse Inc.
7,788
现货
1 : ¥51.39000
剪切带（CT）
800 : ¥32.40961
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
85 V
96A（Tc）
10V
13 毫欧 @ 48A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±15V
13100 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-268
IXTT140P10T
MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Littelfuse Inc.
235
现货
1 : ¥163.38000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
140A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±15V
31400 pF @ 25 V
-
568W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
MBRD6100CT-TP
MCU80P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Micro Commercial Co
925
现货
1 : ¥17.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.94040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A
10V
8.4 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
82 nC @ 10 V
±18V
5450 pF @ 30 V
-
120W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
7,372
现货
1 : ¥12.15000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.02543
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Tc）
2.5V，4.5V
40 毫欧 @ 7.5A，4.5V
1.5V @ 1mA
16 nC @ 4.5 V
±12V
1400 pF @ 10 V
-
1W（Ta），25W（Tc）
150°C
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥33.41000
剪切带（CT）
800 : ¥20.18603
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
4.5V，10V
10.1 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。