单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™-5PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
470mA（Ta）3.6A（Ta）5.9A（Ta）5.9A（Tc）9A（Ta）10A（Ta）11A（Ta）12A（Tc）13A（Ta），49A（Tc）40A（Tc）176A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2V，4.5V3V，5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 100A，10V6.5 毫欧 @ 20A，10V9.3 毫欧 @ 40A，10V10 毫欧 @ 12A，10V13 毫欧 @ 11A，10V14 毫欧 @ 10A，10V17 毫欧 @ 9A，10V29 毫欧 @ 5A，4.5V45 毫欧 @ 4.2A，10V65 毫欧 @ 5.7A，10V1.8 欧姆 @ 150mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2V @ 14µA2V @ 1mA2.3V @ 20µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA4.1V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 5 V6.7 nC @ 4.5 V13 nC @ 4.5 V21 nC @ 10 V23 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V25 nC @ 10 V45 nC @ 10 V62 nC @ 10 V70 nC @ 10 V195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12.9 pF @ 12 V532 pF @ 10 V590 pF @ 15 V840 pF @ 50 V1800 pF @ 30 V1900 pF @ 20 V2000 pF @ 20 V2200 pF @ 25 V2470 pF @ 15 V2900 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
390mW（Ta）1.25W（Ta），2.5W（Tc）1.4W（Ta）1.5W（Ta）2.5W（Ta）2.5W（Ta），35W（Tc）46W（Tc）313W（Tc）
供应商器件封装
8-SO8-SOICPG-TDSON-8-5PG-TO263-3PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® 1212-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN61D8L-7
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Diodes Incorporated
30,474
现货
267,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11788
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
470mA（Ta）
3V，5V
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
2V @ 1mA
0.74 nC @ 5 V
±12V
12.9 pF @ 12 V
-
390mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2343CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
15,648
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65114
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.9A（Tc）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 4.2A，10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Infineon Technologies
52,141
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.52316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
13A（Ta），49A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 40A，10V
2V @ 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-SOIC
FDS6675BZ
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
onsemi
22,759
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.82049
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 11A，10V
3V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±25V
2470 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PowerPAK 1212-8
SI7415DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
92,555
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.69281
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 5.7A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-SOIC
FDS5672
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
onsemi
14,577
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.06559
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Tc）
6V，10V
10 毫欧 @ 12A，10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Infineon Technologies
651
现货
1 : ¥66.58000
剪切带（CT）
1,000 : ¥37.74786
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
176A（Tc）
10V
2 毫欧 @ 100A，10V
4.1V @ 270µA
195 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 50 V
-
313W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-23-3
DMN2050L-7
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
Diodes Incorporated
5,977
现货
1,719,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02259
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.9A（Ta）
2V，4.5V
29 毫欧 @ 5A，4.5V
1.4V @ 250µA
6.7 nC @ 4.5 V
±12V
532 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRF7469TRPBF
MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Infineon Technologies
5,386
现货
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.45102
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9A（Ta）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 9A，10V
3V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2000 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS5670
MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
onsemi
19,837
现货
1 : ¥16.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.29191
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10A（Ta）
6V，10V
14 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TSDSON-8
BSZ065N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.38082
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
6.5 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 20µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1800 pF @ 30 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。