单 FET,MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A(Ta),3.6A(Tc)4.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
46 毫欧 @ 1A,4.5V60 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.7 nC @ 10 V26 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
功率耗散(最大值)
1.1W(Ta),1.7W(Tc)1.47W(Ta)
供应商器件封装
4-MicrofootSOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
4-XFBGA,CSPBGATO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Vishay Siliconix
48,558
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90840
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.3A(Ta),3.6A(Tc)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 3.2A,10V
2.2V @ 250µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
4-Micro Foot
SI8409DB-T1-E1
MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
7,488
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.62192
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.6A(Ta)
2.5V,4.5V
46 毫欧 @ 1A,4.5V
1.4V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.47W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA,CSPBGA
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。