单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Nexperia USA Inc.STMicroelectronicsTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™STripFET™ H6TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.9A(Ta)5.7A(Ta)8.6A(Ta),42.5A(Tc)9A(Tc)14A(Ta),44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V3V,8V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10.3 毫欧 @ 10A,8V13.3 毫欧 @ 8.6A,10V15 毫欧 @ 4.5A,10V23 毫欧 @ 5.7A,4.5V31 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
850mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.8V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.1 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V18.6 nC @ 4.5 V24 nC @ 4.5 V50.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V+10V,-8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
700 pF @ 15 V1150 pF @ 15 V1650 pF @ 15 V2615 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
510mW(Ta),6.94W(Tc)750mW(Ta)1.7W(Ta),40W(Tc)2.7W(Ta)3W(Ta)
供应商器件封装
8-VSON-CLIP(3.3x3.3)MLPAK33PowerFlat™(3.3x3.3)SOT-23-3(TO-236)TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV20XNER
MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
30,334
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92137
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.7A(Ta)
1.8V,4.5V
23 毫欧 @ 5.7A,4.5V
900mV @ 250µA
18.6 nC @ 4.5 V
±12V
1150 pF @ 15 V
-
510mW(Ta),6.94W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
37,879
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.52028
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Ta)
1.8V,4.5V
31 毫欧 @ 5A,4.5V
850mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CSD1632x Series 8-SON
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Texas Instruments
30,611
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.85950
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14A(Ta),44A(Tc)
3V,8V
10.3 毫欧 @ 10A,8V
1.8V @ 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
700 pF @ 15 V
-
2.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
8-PowerTDFN
8-Power VDFN
PXP013-30QLJ
PXP013-30QL/SOT8002/MLPAK33
Nexperia USA Inc.
4,325
现货
1 : ¥4.84000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.70683
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.6A(Ta),42.5A(Tc)
4.5V,10V
13.3 毫欧 @ 8.6A,10V
2.5V @ 250µA
50.1 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 15 V
-
1.7W(Ta),40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
8-PowerFlat
STL9P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
STMicroelectronics
55,686
现货
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.51779
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 4.5A,10V
1V @ 250µA(最小)
24 nC @ 4.5 V
±20V
2615 pF @ 25 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerFlat™(3.3x3.3)
8-PowerVDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。