单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™PowerTrench®SIPMOS™TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90mA（Ta）200mA（Ta）220mA（Ta）1.7A（Ta）5.7A（Ta）6.2A（Ta）8A（Ta），35A（Tc）8.6A（Ta）10.3A（Ta），12A（Tc）15.8A（Ta），39.3A（Tc）44A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 25A，10V7，2 毫欧 @ 10A，10V14.5 毫欧 @ 14.4A，10V15.1 毫欧 @ 10A，10V19.5 毫欧 @ 10A，10V22 毫欧 @ 10.3A，10V22.5 毫欧 @ 8A，10V25 毫欧 @ 9.3A，10V155 毫欧 @ 1A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V14 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA1.8V @ 26µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA3.4V @ 250µA3.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 10 V5.1 nC @ 10 V17 nC @ 10 V22 nC @ 10 V26 nC @ 10 V27 nC @ 10 V30 nC @ 10 V44 nC @ 10 V190 nC @ 10 V413 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V45 pF @ 25 V50 pF @ 18 V182 pF @ 25 V790 pF @ 30 V1235 pF @ 30 V1540 pF @ 50 V1680 pF @ 50 V15660 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）350mW（Ta）360mW（Ta）900mW（Ta）1.8W（Ta）1.9W（Ta）3.1W（Ta），54W（Tc）3.2W（Ta），63W（Tc）3.6W（Ta），22.3W（Tc）3.6W（Ta），35.7W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）PG-SOT23PowerPAK® SO-8SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD19534Q5A
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Texas Instruments
12,454
现货
1 : ¥8.29000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.42953
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
44A（Tc）
6V，10V
15.1 毫欧 @ 10A，10V
3.4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
TO-252AA
FDD86102LZ
MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
onsemi
20,124
现货
1 : ¥12.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.72038
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
8A（Ta），35A（Tc）
4.5V，10V
22.5 毫欧 @ 8A，10V
3V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1540 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK SO-8
SI7850DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,280
现货
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.11878
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.2A（Ta）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 10.3A，10V
3V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7456DP-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
9,989
现货
1 : ¥16.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.47501
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.7A（Ta）
6V，10V
25 毫欧 @ 9.3A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7145DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
55,134
现货
1 : ¥18.06000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.16097
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Tc）
4.5V，10V
2.6 毫欧 @ 25A，10V
2.3V @ 250µA
413 nC @ 10 V
±20V
15660 pF @ 15 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7461DP-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
25,607
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.54476
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8.6A（Ta）
4.5V，10V
14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
3V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
SN7002NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Infineon Technologies
5,745
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.39802
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
1.8V @ 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
45 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZVP3306FTA
MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
Diodes Incorporated
27,643
现货
147,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.28422
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90mA（Ta）
10V
14 欧姆 @ 200mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 18 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NVR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
onsemi
57,519
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05374
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
4.5V，10V
155 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
182 pF @ 25 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7850ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Vishay Siliconix
6,705
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.12560
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.3A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
19.5 毫欧 @ 10A，10V
2.8V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
790 pF @ 30 V
-
3.6W（Ta），35.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 8 x 8
SIJ462ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Vishay Siliconix
10,998
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.75946
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15.8A（Ta），39.3A（Tc）
4.5V，10V
7，2 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1235 pF @ 30 V
-
3.6W（Ta），22.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
218,954
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。