单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V50 V60 V80 V100 V120 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）360mA（Ta）3A（Ta）3.2A（Ta）5A（Ta）11A（Ta）28A（Tc）42A（Tc）45，6A（Ta），186A（Tc）50A（Tc）52A（Tc）60A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 20A，10V7.8 毫欧 @ 30A，10V8.7 毫欧 @ 20A，10V9.6 毫欧 @ 18A，10V12.8 毫欧 @ 11A， 10V14 毫欧 @ 38A，10V15 毫欧 @ 17A，10V18 毫欧 @ 3.5A，10V25 毫欧 @ 10.2A，10V29 毫欧 @ 5A，4.5V64 毫欧 @ 5A，10V85 毫欧 @ 3.5A，10V2 欧姆 @ 270mA，10V4 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.06V @ 250µA1.1V @ 10µA1.5V @ 100µA2.5V @ 100µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 10 V6.8 nC @ 4.5 V21 nC @ 10 V40 nC @ 10 V48 nC @ 4.5 V49 nC @ 10 V60 nC @ 10 V100 nC @ 10 V108 nC @ 10 V115 nC @ 10 V135 nC @ 10 V160 nC @ 10 V165 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V45.8 pF @ 25 V650 pF @ 25 V1975 pF @ 50 V3224 pF @ 60 V3980 pF @ 25 V4586 pF @ 30 V4700 pF @ 40 V4950 pF @ 25 V5900 pF @ 30 V6300 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）350mW（Ta）1.3W（Ta）1.4W（Ta）1.5W（Ta）1.9W（Ta）2.9W3W（Ta），136W（Tc）5.2W（Ta），83.3W（Tc）5.4W（Ta），83W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）83W（Tc）140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPMicro3™/SOT-23PowerDI5060-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-323TO-252AATO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
412,233
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6344TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
133,125
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02908
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta）
2.5V，4.5V
29 毫欧 @ 5A，4.5V
1.1V @ 10µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
650 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7465DP-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
20,190
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.30104
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.2A（Ta）
4.5V，10V
64 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
13,970
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.76624
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
52A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4586 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7898DP-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
15,167
现货
1 : ¥14.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.50671
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
3A（Ta）
6V，10V
85 毫欧 @ 3.5A，10V
4V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO252-3
IRLR3110ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Infineon Technologies
16,340
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
2,000 : ¥7.03168
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
42A（Tc）
4.5V，10V
14 毫欧 @ 38A，10V
2.5V @ 100µA
48 nC @ 4.5 V
±16V
3980 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK SO-8
SI7460DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,805
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.83343
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Ta）
4.5V，10V
9.6 毫欧 @ 18A，10V
3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR882ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,952
现货
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.93295
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 20A，10V
2.8V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1975 pF @ 50 V
-
5.4W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252
SUD50P06-15L-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
29,780
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.48438
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 17A，10V
3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK SO-8
SI7469DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
175
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48435
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
5.2W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-323
DMN53D0LW-7
MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Diodes Incorporated
136,241
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.38482
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
360mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 270mA，10V
1.5V @ 100µA
1.2 nC @ 10 V
±20V
45.8 pF @ 25 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
DMPH4015SPSQ-13
DMT12H007LPS-13
MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
3,891
现货
132,500
工厂
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.59477
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
90A（Tc）
4.5V，10V
7.8 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
3224 pF @ 60 V
-
2.9W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Vishay Siliconix
8,460
现货
1 : ¥14.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.39642
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
45，6A（Ta），186A（Tc）
4.5V，10V
1.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 30 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-SOIC
RS3L110ATTB1
PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Rohm Semiconductor
2,253
现货
1 : ¥19.62000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.84473
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Ta）
4.5V，10V
12.8 毫欧 @ 11A， 10V
2.5V @ 1mA
115 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 30 V
-
1.4W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。