单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedEPCMicrochip TechnologyonsemiVishay Siliconix
系列
-eGaN®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V100 V240 V250 V300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA（Ta）170mA（Ta）250mA（Ta）270mA（Ta）480mA（Ta）3A（Ta）4A（Ta）11.1A（Tc）18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.7V，10V3.3V，10V4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 11A，5V23 毫欧 @ 15A，10V38 毫欧 @ 3.6A，4.5V97 毫欧 @ 3A，4.5V3.5 欧姆 @ 300mA，10V4 欧姆 @ 300mA，10V6 欧姆 @ 100mA，10V7 欧姆 @ 1A，10V11 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 1mA2.5V @ 250µA2.5V @ 3mA2.6V @ 1mA2.8V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.7 nC @ 10 V4.3 nC @ 4.5 V4.5 nC @ 5 V6.1 nC @ 4.5 V6.6 nC @ 10 V7.6 nC @ 10 V29.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V76.8 pF @ 25 V110 pF @ 25 V187.3 pF @ 25 V188 pF @ 25 V339 pF @ 10 V420 pF @ 50 V540 pF @ 10 V900 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）310mW（Ta）360mW（Ta）750mW（Ta）760mW（Ta）940mW1.4W（Ta）2.5W（Ta），5.7W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236AB（SOT23）模具
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
327,242
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49108
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2056U-7
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Diodes Incorporated
66,966
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71835
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
339 pF @ 10 V
-
940mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
eGaN Series
EPC2016C
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
106,797
现货
1 : ¥21.26000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.59404
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
18A（Ta）
5V
16 毫欧 @ 11A，5V
2.5V @ 3mA
4.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
420 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
SOT-23-3
AO3413
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
31,248
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.74207
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
1.8V，4.5V
97 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 250µA
6.1 nC @ 4.5 V
±8V
540 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
SOT-23-3
DMN24H11DSQ-7
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Diodes Incorporated
4,563
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34896
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
270mA（Ta）
4.5V，10V
11 欧姆 @ 300mA，10V
3V @ 250µA
3.7 nC @ 10 V
±20V
76.8 pF @ 25 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN30H4D0L-7
MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Diodes Incorporated
18,164
现货
78,000
工厂
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.50918
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
250mA（Ta）
2.7V，10V
4 欧姆 @ 300mA，10V
3V @ 250µA
7.6 nC @ 10 V
±20V
187.3 pF @ 25 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN24H3D5L-7
MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
Diodes Incorporated
6,569
现货
177,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.54098
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
480mA（Ta）
3.3V，10V
3.5 欧姆 @ 300mA，10V
2.5V @ 250µA
6.6 nC @ 10 V
±20V
188 pF @ 25 V
-
760mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB (SOT23)
TN5325K1-G
MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Microchip Technology
13,126
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.26886
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
150mA（Ta）
4.5V，10V
7 欧姆 @ 1A，10V
2V @ 1mA
-
±20V
110 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TA）
-
-
表面贴装型
TO-236AB（SOT23）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SI4056DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Vishay Siliconix
1,332
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.71752
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
11.1A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 15A，10V
2.8V @ 250µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
900 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），5.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。