单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
系列
-PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
470mA（Ta）9.6A（Ta），35A（Tc）23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 9.6A，10V49 毫欧 @ 10A，10V1.8 欧姆 @ 150mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 5 V18 nC @ 5 V46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12.9 pF @ 12 V2130 pF @ 25 V2715 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
390mW（Ta）2.5W（Ta），104W（Tc）75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）LFPAK56，Power-SO8SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN61D8L-7
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Diodes Incorporated
58,517
现货
120,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11781
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
470mA（Ta）
3V，5V
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
2V @ 1mA
0.74 nC @ 5 V
±12V
12.9 pF @ 12 V
-
390mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-PQFN
FDMS86200
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
onsemi
12,921
现货
1 : ¥20.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.17717
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
9.6A（Ta），35A（Tc）
6V，10V
18 毫欧 @ 9.6A，10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2715 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y53-100B,115
MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
21,621
现货
1 : ¥7.80000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.44158
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
4.5V，10V
49 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 1mA
18 nC @ 5 V
±15V
2130 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。