单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiQorvoVishay Siliconix
系列
-EQFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）
60 V800 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.4A（Tc）17，4A（Tc）18.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180毫欧 @ 5A，12V185 毫欧 @ 4.7A，10V235 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5.5V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V30 nC @ 15 V72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
550 pF @ 25 V738 pF @ 100 V1388 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），38W（Tc）32W（Tc）166.7W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247-3TO-252AATO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FQD11P06TM
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
onsemi
2,744
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.71474
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.4A（Tc）
10V
185 毫欧 @ 4.7A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
550 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），38W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-247-3L
UJ3C120150K3S
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Qorvo
455
现货
1 : ¥79.55000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
1200 V
18.4A（Tc）
12V
180毫欧 @ 5A，12V
5.5V @ 10mA
30 nC @ 15 V
±25V
738 pF @ 100 V
-
166.7W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-263AB
SIHB21N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Vishay Siliconix
970
现货
1 : ¥16.09000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
17，4A（Tc）
10V
235 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±30V
1388 pF @ 100 V
-
32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。