单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Littelfuse Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-PolarTrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V60 V300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta）88A（Tc）200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 毫欧 @ 10A，10V40 毫欧 @ 44A，10V60 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA3.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.9 nC @ 5 V180 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
235 pF @ 15 V6300 pF @ 25 V10210 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta）150W（Tc）600W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 8 x 8SOT-223-4TO-268AA
封装/外壳
PowerPAK® 8 x 8TO-261-4，TO-261AATO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
FDT457N
MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
onsemi
9,334
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.25068
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
5.9 nC @ 5 V
±20V
235 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
TO-268
IXTT88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Littelfuse Inc.
16
现货
1 : ¥107.06000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
88A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 44A，10V
5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 25 V
-
600W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
PowerPAK 8 x 8
SQJQ466E-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
5
现货
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
2,000 : ¥10.79398
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200A（Tc）
10V
1.9 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
10210 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。