单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSVIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
530mA（Ta）15A（Ta），80A（Tc）28A（Tc）40A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 20A，10V6 毫欧 @ 20A，10V25 毫欧 @ 10.2A，10V420 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 300µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.7 nC @ 8 V35 nC @ 10 V41.3 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
43 pF @ 10 V2090 pF @ 30 V2230 pF @ 10 V4700 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
220mW（Ta）840mW（Ta），100W（Tc）2.2W（Ta），62.5W（Tc）5.2W（Ta），83.3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-TSON Advance-WF（3.1x3.1）POWERDI3333-8PowerPAK® SO-8SC-89-3
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8SC-89，SOT-490
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-89-3_463C
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
Vishay Siliconix
110,798
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64179
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
530mA（Ta）
1.5V，4.5V
420 毫欧 @ 500mA，4.5V
1V @ 250µA
2.7 nC @ 8 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
220mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
PowerPAK SO-8
SI7469DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
22,131
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48435
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
5.2W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
17,520
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.86590
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Ta）
4.5V，10V
3.8 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 300µA
35 nC @ 10 V
±20V
2230 pF @ 10 V
-
840mW（Ta），100W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-TSON Advance-WF（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMT6007LFG-13
MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
3,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥3.51779
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15A（Ta），80A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
41.3 nC @ 10 V
±20V
2090 pF @ 30 V
-
2.2W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。