单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedFairchild SemiconductorNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）450mA（Ta）1.6A（Tc）5.4A（Ta）7.7A（Ta）9.5A（Ta），12A（Tc）12A（Ta），14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.7 毫欧 @ 12A，10V21 毫欧 @ 5.8A，10V21 毫欧 @ 9.5A，10V42 毫欧 @ 4.9A，10V290 毫欧 @ 2A，10V1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V0.88 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 4.5 V14.3 nC @ 10 V20 nC @ 10 V26 nC @ 10 V47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
35 pF @ 25 V55 pF @ 25 V355 pF @ 25 V650 pF @ 15 V749 pF @ 15 V1570 pF @ 15 V1850 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）250mW（Ta）1.2W（Ta）1.9W（Ta），13W（Tc）2.3W（Ta），30W（Tc）3.1W（Ta），11W（Tc）3.3W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）8-MLP（3.3x3.3）DFN2020M-6SC-70-6SOT-323SOT-523TSOT-26
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3636-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFN8-PowerWDFNSC-70，SOT-323SOT-23-6 细型，TSOT-23-6SOT-523
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8 POWER WDFN
FDMC8327L
MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
onsemi
11,134
现货
1 : ¥9.44000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.89923
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta），14A（Tc）
4.5V，10V
9.7 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1850 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
6-DFN2020MD_View 2
PMPB17EPX
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Nexperia USA Inc.
5,236
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11299
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 5.8A，10V
2.5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
1570 pF @ 15 V
-
1.9W（Ta），13W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
8-DFN
AONR32320C
MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8,976
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.89553
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9.5A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 9.5A，10V
2.3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），11W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
SC-70-6
SQ1421EDH-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Vishay Siliconix
9,293
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.42121
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.6A（Tc）
4.5V，10V
290 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±20V
355 pF @ 25 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
TSOT-26
DMP3045LVT-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Diodes Incorporated
2,799
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02908
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.4A（Ta）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.9A，10V
2.1V @ 250µA
14.3 nC @ 10 V
±20V
749 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
9,542
现货
1 : ¥1.48000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.25962
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
35 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
261
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.36321
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
450mA（Ta）
1.8V，4.5V
1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.88 nC @ 4.5 V
8V
55 pF @ 25 V
-
250mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
TEXTISCSD86336Q3DT
FDMC8327L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Fairchild Semiconductor
0
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta），14A（Tc）
4.5V，10V
9.7 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1850 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。