单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.25A（Ta）1.7A（Ta）4A（Ta）7A（Ta），18A（Tc）17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，8V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 6.5A，10V49毫欧 @ 4A，8V81 毫欧 @ 17A，10V170 毫欧 @ 1.25A，10V185 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2.2V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 4.5 V13.8 nC @ 10 V14.3 nC @ 10 V20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 30 V492 pF @ 25 V620 pF @ 25 V679 pF @ 10 V1290 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）610mW（Ta），8.3W（Tc）1W（Ta）2.3W（Ta），41W（Tc）71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）DPAKSOT-223（TO-261）SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN5618P
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
onsemi
442
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14961
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.25A（Ta）
4.5V，10V
170 毫欧 @ 1.25A，10V
3V @ 250µA
13.8 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223 (TO-261)
NTF2955T1G
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
onsemi
16,623
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
1,000 : ¥4.07684
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
10V
185 毫欧 @ 2.4A，10V
4V @ 1mA
14.3 nC @ 10 V
±20V
492 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
8-MLP, Power33
FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
onsemi
6,984
现货
1 : ¥14.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.45006
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 6.5A，10V
2.2V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
TO-236AB
PMV48XPA2R
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Nexperia USA Inc.
16,397
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79023
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
2.5V，8V
49毫欧 @ 4A，8V
1.3V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
679 pF @ 10 V
-
610mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTD6416ANT4G
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
onsemi
12,773
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.05969
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
81 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。