单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Panjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）500mA（Ta）1A（Ta）1.05A（Ta）2.5A（Ta）2.8A（Ta）3.6A（Ta）3.8A（Ta）4A（Ta）4.3A（Tc）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 6A，10V50 毫欧 @ 2.5A，4.5V52 毫欧 @ 4A，10V54 毫欧 @ 3.6A，10V62 毫欧 @ 4.2A，4.5V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V200 毫欧 @ 600mA，4.5V254 毫欧 @ 900mA，4.5V400 毫欧 @ 500mA，4.5V450 毫欧 @ 600mA，4.5V1.6 欧姆 @ 300mA，10V3.5 欧姆 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
570mV @ 1mA（典型值）900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 4.5 V1.65 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 10 V3.9 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 4.5 V9 nC @ 4.5 V11.7 nC @ 10 V19 nC @ 10 V27 nC @ 10 V120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V60.67 pF @ 16 V67 pF @ 10 V81 pF @ 15 V130 pF @ 10 V152 pF @ 16 V347 pF @ 10 V464 pF @ 15 V487 pF @ 20 V994 pF @ 15 V1600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）290mW（Ta）300mW（Ta）340mW（Ta），2.1W（Tc）342mW（Ta）417mW（Ta）660mW（Ta）800mW（Ta）1.25W（Ta）1.4W（Ta）1.7W（Ta）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICSOT-23SOT-23-3SOT-323SOT-523 扁平引线TO-236ABTO-247AC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323SC-89，SOT-490TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
433,485
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.61574
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.05A（Ta）
1.8V，4.5V
200 毫欧 @ 600mA，4.5V
570mV @ 1mA（典型值）
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
942,617
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
534,561
现货
7,845,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48195
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMP2120U-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
427,314
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.56158
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.8A（Ta）
1.8V，4.5V
62 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
487 pF @ 20 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3402L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
349,854
现货
5,598,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64179
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
52 毫欧 @ 4A，10V
1.4V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2302UKQ-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
622,542
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79556
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
297,463
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.40604
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
500mA（Ta）
1.2V，4.5V
400 毫欧 @ 500mA，4.5V
900mV @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
67 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523 扁平引线
SC-89，SOT-490
SOT-323
PMF250XNEX
MOSFET N-CH 30V 1A SOT323
Nexperia USA Inc.
113,109
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49131
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1A（Ta）
2.5V，4.5V
254 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.25V @ 250µA
1.65 nC @ 4.5 V
±12V
81 pF @ 15 V
-
342mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TO-236AB
NXV40UNR
NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
64,853
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62737
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
1.5V，4.5V
50 毫欧 @ 2.5A，4.5V
950mV @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
347 pF @ 10 V
-
340mW（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SI4850EY-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Vishay Siliconix
9,499
现货
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.28614
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-247-3 AC EP
IRFPG40PBF
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
Vishay Siliconix
294
现货
1 : ¥45.07000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
4.3A（Tc）
10V
3.5 欧姆 @ 2.6A，10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
2,745
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
9,000 : ¥0.42986
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
2.5V，10V
54 毫欧 @ 3.6A，10V
1.3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±12V
994 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。