单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesonsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A（Ta）8.7A（Ta）12A（Tc）18A（Ta）19A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 22A，10V4.8 毫欧 @ 18A，10V14 毫欧 @ 10.5A，10V24 毫欧 @ 7.8A，10V160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.35V @ 50µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V26 nC @ 4.5 V43 nC @ 10 V55 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
162 pF @ 10 V435 pF @ 15 V2315 pF @ 15 V3840 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1.5W（Ta）2.5W（Ta）3.1W（Ta），156W（Tc）3.2W（Ta），15.6W（Tc）
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-VSONP（5x6）PowerPAK® 1212-8SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
NDS331N
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
162,400
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20595
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
2.7V，4.5V
160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
162 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
65,501
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77240
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 7.8A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），15.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
IRF8736TRPBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Infineon Technologies
38,857
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.22732
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Ta）
4.5V，10V
4.8 毫欧 @ 18A，10V
2.35V @ 50µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2315 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-Power TDFN
CSD18531Q5A
MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
Texas Instruments
5,567
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.05406
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
19A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 22A，10V
2.3V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
3840 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-SOIC
SI4401BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Vishay Siliconix
12,151
现货
1 : ¥15.35000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.94014
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.7A（Ta）
4.5V，10V
14 毫欧 @ 10.5A，10V
3V @ 250µA
55 nC @ 5 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。