单 FET,MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
15 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A(Ta)48A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 毫欧 @ 20A,5V26 毫欧 @ 1.5A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.1 nC @ 5 V11 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
118 pF @ 7.5 V1140 pF @ 100 V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2034C
GANFET N-CH 200V 48A DIE
EPC
24,262
现货
1 : ¥75.94000
剪切带(CT)
500 : ¥47.88316
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET(氮化镓)
200 V
48A(Ta)
5V
8 毫欧 @ 20A,5V
2.5V @ 7mA
11 nC @ 5 V
+6V,-4V
1140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2216
EPC2216
GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
EPC
38,606
现货
1 : ¥8.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.30991
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
15 V
3.4A(Ta)
5V
26 毫欧 @ 1.5A,5V
2.5V @ 1mA
1.1 nC @ 5 V
+6V,-4V
118 pF @ 7.5 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
模具
模具
显示
/ 2

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。