单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
StrongIRFET™2TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.3A（Tc）35A（Ta），223A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 100A，10V7.5 毫欧 @ 17.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA3.3V @ 129µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 4.5 V162 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2610 pF @ 15 V7300 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.5W（Tc）3.8W（Ta），188W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO263-7-U02PowerPAK® 1212-8SH
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SHTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8SH
SISH112DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
Vishay Siliconix
5,705
现货
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.86698
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11.3A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 17.8A，10V
1.5V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±12V
2610 pF @ 15 V
-
1.5W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
1,218
现货
1 : ¥20.44000
剪切带（CT）
800 : ¥11.45165
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
35A（Ta），223A（Tc）
6V，10V
1.7 毫欧 @ 100A，10V
3.3V @ 129µA
162 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 30 V
-
3.8W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-U02
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。