单 FET,MOSFET

结果 : 308
系列
-LITTLE FOOT®TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V60 V80 V100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA(Ta)480mA(Ta)500mA(Ta)670mA(Ta)850mA(Ta)870mA(Ta)940mA(Ta)960mA(Ta)1.18A(Ta)1.4A(Ta)1.44A(Ta)1.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,3.7V1.5V,4.5V1.7V,4.5V1.8V,4.5V2V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4.5V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.6 毫欧 @ 25A,10V1.95 毫欧 @ 25A,10V2.7 毫欧 @ 15A,10V3.2 毫欧 @ 10A,10V3.2 毫欧 @ 15A,10V3.6 毫欧 @ 20A,10V3.8 毫欧 @ 20A,10V3.9 毫欧 @ 20A,10V4 毫欧 @ 10A,4.5V4 毫欧 @ 20A,10V4.4 毫欧 @ 20A,10V4.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 100µA(最小)450mV @ 1mA(最小)450mV @ 250µA(最小)500mV @ 250µA(最小)600mV @ 250µA(最小)800mV @ 250µA800mV @ 400µA800mV @ 850µA850mV @ 250µA850mV @ 450µA900mV @ 1mA900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2 nC @ 10 V2.2 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V4 nC @ 4.5 V4.5 nC @ 4.5 V5 nC @ 4.5 V5.1 nC @ 5 V5.5 nC @ 4.5 V6 nC @ 4.5 V6.2 nC @ 5 V6.86 nC @ 5 V7.63 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±5V±8V±10V±12V+16V,-20V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
33 pF @ 15 V62 pF @ 6 V150 pF @ 15 V210 pF @ 10 V250 pF @ 10 V281 pF @ 10 V300 pF @ 10 V308 pF @ 10 V312 pF @ 10 V315 pF @ 15 V330 pF @ 10 V357 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
170mW(Ta)190mW(Ta)236mW(Ta)290mW(Ta)330mW(Ta)500mW(Ta)568mW(Ta)600mW(Ta),900mW(Tc)625mW(Ta)710mW(Ta)750mW(Ta)780mW(Ta),1.8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)4-MICRO FOOT®(1.6x1.6)4-Microfoot6-Micro Foot™(1.5x1)6-TSOP6-microfoot8-SOIC8-TSSOP1206-8 ChipFET™I2PAKPowerPAK® 0806PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
4-UFBGA4-XFBGA4-XFBGA,CSPBGA6-MICRO FOOT®CSP6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UFBGA8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)-PowerPAK® 0806PowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
308结果
搜索条目

显示
/ 308
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
11,872
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10681
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6A(Tc)
1.5V,4.5V
28 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
35 nC @ 8 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
1.2W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
31,562
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.03809
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12.6A(Tc)
4.5V,10V
19 毫欧 @ 9A,10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
4.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPak SC-70-6 Single
SIA483DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
81,515
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Tc)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 5A,10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1550 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SOT-23-3
SI2315BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Vishay Siliconix
87,120
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.43335
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3A(Ta)
1.8V,4.5V
50 毫欧 @ 3.85A,4.5V
900mV @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
715 pF @ 6 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5547
SI5457DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Vishay Siliconix
25,208
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.52874
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Tc)
2.5V,4.5V
36 毫欧 @ 4.9A,4.5V
1.4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±12V
1000 pF @ 10 V
-
5.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
1206-8 ChipFET™
8-SMD,扁平引线
PowerPak SC-70-6 Single
SIA471DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Vishay Siliconix
23,897
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77229
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12.9A(Ta),30.3A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
27.8 nC @ 10 V
+16V,-20V
1170 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta),19.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK 1212-8
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
194,446
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.61673
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
35A(Tc)
4.5V,10V
12.3 毫欧 @ 13.9A,10V
2.5V @ 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
1800 pF @ 15 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SOT-23-3
SI2333CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
77,734
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65837
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
7.1A(Tc)
1.8V,4.5V
35 毫欧 @ 5.1A,4.5V
1V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1225 pF @ 6 V
-
1.25W(Ta),2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
26,750
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
12A(Tc)
1.5V,4.5V
20.5 毫欧 @ 6A,4.5V
1V @ 250µA
62 nC @ 8 V
±8V
1750 pF @ 10 V
-
3.5W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SOT-23-3
SI2333CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
17,984
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65837
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
7.1A(Tc)
1.8V,4.5V
35 毫欧 @ 5.1A,4.5V
1V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1225 pF @ 6 V
-
1.25W(Ta),2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
52,103
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.82226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Tc)
4.5V,10V
47 毫欧 @ 4.4A,10V
2.2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 20 V
-
19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK 1212-8
SI7615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
64,311
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.24490
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
35A(Tc)
2.5V,10V
4.4 毫欧 @ 20A,10V
1.5V @ 250µA
183 nC @ 10 V
±12V
5590 pF @ 10 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-SOIC
SI4143DY-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Vishay Siliconix
1,271
现货
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.34534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25.3A(Tc)
4.5V,10V
6.2 毫欧 @ 12A,10V
2.5V @ 250µA
167 nC @ 10 V
±25V
6630 pF @ 15 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-3
SI2333DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
39,113
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.58518
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.1A(Ta)
1.8V,4.5V
32 毫欧 @ 5.3A,4.5V
1V @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±8V
1100 pF @ 6 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
SI9433BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Vishay Siliconix
9,475
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.91320
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.5A(Ta)
2.7V,4.5V
40 毫欧 @ 6.2A,4.5V
1.5V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK 1212-8S
SI7655ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
23,556
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.01053
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
40A(Tc)
2.5V,10V
3.6 毫欧 @ 20A,10V
1.1V @ 250µA
225 nC @ 10 V
±12V
6600 pF @ 10 V
-
4.8W(Ta),57W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK 1212-8
SQS401EN-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
102,653
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.06261
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
16A(Tc)
4.5V,10V
29 毫欧 @ 12A,10V
2.5V @ 250µA
21.2 nC @ 4.5 V
±20V
1875 pF @ 20 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-SOIC
SI4463CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Vishay Siliconix
10,156
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.05582
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
13.6A(Ta),49A(Tc)
2.5V,10V
8 毫欧 @ 13A,10V
1.4V @ 250µA
162 nC @ 10 V
±12V
4250 pF @ 15 V
-
2.7W(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4463BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Vishay Siliconix
14,242
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.69246
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9.8A(Ta)
2.5V,10V
11 毫欧 @ 13.7A,10V
1.4V @ 250µA
56 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK 1212-8S
SI7655DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
22,636
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.84464
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
40A(Tc)
2.5V,10V
3.6 毫欧 @ 20A,10V
1.1V @ 250µA
225 nC @ 10 V
±12V
6600 pF @ 10 V
-
4.8W(Ta),57W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
TO-220AB
IRF9530PBF
MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Vishay Siliconix
12,981
现货
1 : ¥14.28000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12A(Tc)
10V
300 毫欧 @ 7.2A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerPak SO-8L
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
13,495
现货
1 : ¥15.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.03563
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
12A(Tc)
6V,10V
213 毫欧 @ 1A,4V
3.5V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7137DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
7,006
现货
1 : ¥18.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.18800
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
60A(Tc)
2.5V,10V
1.95 毫欧 @ 25A,10V
1.4V @ 250µA
585 nC @ 10 V
±12V
20000 pF @ 10 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263 (D2Pak)
SQM50P08-25L_GE3
MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
Vishay Siliconix
8,939
现货
1 : ¥20.61000
剪切带(CT)
800 : ¥11.52203
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
50A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 12.5A,10V
2.5V @ 250µA
137 nC @ 10 V
±20V
5350 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252
SUD50P08-25L-E3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Vishay Siliconix
6,104
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.48377
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
50A(Tc)
4.5V,10V
25.2 毫欧 @ 12.5A,10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
8.3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 308

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。