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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SI4143DY-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SI4143DY-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SI4143DY-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） |
制造商 | |
制造商产品编号 | SI4143DY-T1-GE3 |
描述 | MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO |
原厂标准交货期 | 24 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 25.3A（Tc） 6W（Tc） 8-SOIC |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SI4143DY-T1-GE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 30 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.2 毫欧 @ 12A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 167 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±25V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6630 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 6W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TA） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | 8-SOIC | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
现货: 4,263
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数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带（CT）
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.59000 | ¥9.59 |
| 10 | ¥6.03700 | ¥60.37 |
| 100 | ¥3.96690 | ¥396.69 |
| 500 | ¥3.07690 | ¥1,538.45 |
| 1,000 | ¥2.79028 | ¥2,790.28 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 2,500 | ¥2.47978 | ¥6,199.45 |
| 5,000 | ¥2.28788 | ¥11,439.40 |
| 7,500 | ¥2.19012 | ¥16,425.90 |
| 12,500 | ¥2.08027 | ¥26,003.38 |
| 17,500 | ¥2.05186 | ¥35,907.55 |
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