单齐纳二极管

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容差
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现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
容差
功率 - 最大值
阻抗(最大值)(Zzt)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
2EZ19D5
3EZ91D/TR12
DIODE ZENER 91V 3W DO204AL
Microsemi Corporation
0
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-
卷带(TR)
在售91 V±20%3 W115 Ohms500 nA @ 69.2 V1.2 V @ 200 mA-65°C ~ 150°C通孔DO-204AL,DO-41,轴向DO-204AL(DO-41)
2EZ19D5
3EZ91D10/TR12
DIODE ZENER 91V 3W DO204AL
Microsemi Corporation
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卷带(TR)
在售91 V±10%3 W115 Ohms500 nA @ 69.2 V1.2 V @ 200 mA-65°C ~ 150°C通孔DO-204AL,DO-41,轴向DO-204AL(DO-41)
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DIODE ZENER 91V 3W DO204AL
Microsemi Corporation
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DIODE ZENER 91V 3W DO204AL
Microsemi Corporation
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单齐纳二极管


齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。