单双极晶体管

结果 : 6
制造商
Good-Ark SemiconductorMicrochip TechnologyonsemiTT Electronics/Optek Technology
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
200 mA600 mA800 mA1 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V50 V60 V80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 5mA,50mA500mV @ 50mA,500mA1V @ 15mA,500mA1V @ 50mA,500mA1.6V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)
10nA50nA-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
50 @ 500mA,10V75 @ 1mA,10V100 @ 10mA,1V100 @ 150mA,10V100 @ 1mA,10V
功率 - 最大值
300 mW500 mW625 mW
频率 - 跃迁
300MHz-
工作温度
-65°C ~ 200°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
3-LCC3-SMD,无引线TO-206AA,TO-18-3 金属罐TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装
TO-18TO-92-3UB陶瓷 SMD
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N3904BU
TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3
onsemi
15,076
现货
1 : ¥2.87000
散装
-
散装
在售
NPN
200 mA
40 V
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
625 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92-3
UB
2N2907AUB
TRANS PNP 60V 0.6A UB
Microchip Technology
2,426
现货
1 : ¥51.14000
散装
-
散装
在售
PNP
600 mA
60 V
1.6V @ 50mA,500mA
50nA
100 @ 150mA,10V
500 mW
-
-65°C ~ 200°C(TJ)
表面贴装型
3-SMD,无引线
UB
UB
2N3700UB
TRANS NPN 80V 1A UB
Microchip Technology
718
现货
1 : ¥82.75000
散装
-
散装
在售
NPN
1 A
80 V
500mV @ 50mA,500mA
10nA
50 @ 500mA,10V
500 mW
-
-65°C ~ 200°C(TJ)
表面贴装型
3-SMD,无引线
UB
417
现货
1 : ¥204.82000
散装
-
散装
在售
PNP
600 mA
60 V
1.6V @ 50mA,500mA
50nA
100 @ 1mA,10V
300 mW
-
-65°C ~ 200°C(TJ)
表面贴装型
3-LCC
陶瓷 SMD
177
现货
1 : ¥313.93000
散装
-
散装
在售
NPN
800 mA
50 V
1V @ 15mA,500mA
50nA
75 @ 1mA,10V
300 mW
-
-65°C ~ 200°C(TJ)
表面贴装型
3-LCC
陶瓷 SMD
2N2222A
2N2222A
TRANSISTOR, NPN, 0.8A, 40V, TO-1
Good-Ark Semiconductor
893
现货
1 : ¥15.43000
散装
-
散装
在售
NPN
800 mA
40 V
1V @ 50mA,500mA
10nA
100 @ 150mA,10V
500 mW
300MHz
175°C(TJ)
通孔
TO-206AA,TO-18-3 金属罐
TO-18
显示
/ 6

单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。