单双极晶体管

结果 : 3
制造商
Microchip Technologyonsemi
系列
-2N2222
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
600 mA800 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V50 V60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
1V @ 50mA,500mA1.6V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)
10nA(ICBO)50nA
功率 - 最大值
225 mW500 mW
频率 - 跃迁
300MHz-
工作温度
-65°C ~ 200°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
军用汽车级
资质
AEC-Q101MIL-PRF-19500/291
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
3-SMD,无引线TO-206AA,TO-18-3 金属罐TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)TO-18(TO-206AA)UB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 23-3
MMBT2222ALT1G
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
onsemi
560,015
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.21634
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
600 mA
40 V
1V @ 50mA,500mA
10nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
225 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
UB
2N2222AUB
TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD
Microchip Technology
4,112
现货
1 : ¥47.37000
散装
散装
在售
NPN
800 mA
50 V
1V @ 50mA,500mA
50nA
100 @ 150mA,10V
500 mW
-
-65°C ~ 200°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-SMD,无引线
UB
TO-18
JAN2N2907A
TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Microchip Technology
285
现货
1 : ¥22.33000
散装
-
散装
在售
PNP
600 mA
60 V
1.6V @ 50mA,500mA
50nA
100 @ 150mA,10V
500 mW
-
-65°C ~ 200°C(TJ)
军用
MIL-PRF-19500/291
通孔
TO-206AA,TO-18-3 金属罐
TO-18(TO-206AA)
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。