单双极晶体管

结果 : 4
包装
卷带(TR)散装
功率 - 最大值
500 mW650 mW
封装/外壳
3-SMD,无引线4-SMD
供应商器件封装
4-SMDUB
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媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
UB
2N2222AUB
TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD
Microchip Technology
2,277
现货
1 : ¥46.91000
散装
散装
在售NPN800 mA50 V1V @ 50mA,500mA50nA100 @ 150mA,10V500 mW--65°C ~ 200°C(TJ)表面贴装型3-SMD,无引线UB
UB
2N2222AUB/TR
TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD
Microchip Technology
0
现货
查看交期
150 : ¥44.79540
卷带(TR)
卷带(TR)
在售NPN800 mA50 V1V @ 50mA,500mA50nA100 @ 150mA,10V500 mW--65°C ~ 200°C(TJ)表面贴装型3-SMD,无引线UB
2N2907AUB
2N2222AUA
TRANS NPN 50V 0.8A 4SMD
Microchip Technology
0
现货
查看交期
100 : ¥204.62890
散装
散装
在售NPN800 mA50 V1V @ 50mA,500mA50nA100 @ 150mA,10V650 mW--65°C ~ 200°C(TJ)表面贴装型4-SMD4-SMD
2N2907AUB
2N2222AUA/TR
TRANS NPN 50V 0.8A 4SMD
Microchip Technology
0
现货
查看交期
100 : ¥206.01100
卷带(TR)
卷带(TR)
在售NPN800 mA50 V1V @ 50mA,500mA50nA100 @ 150mA,10V650 mW--65°C ~ 200°C(TJ)表面贴装型4-SMD4-SMD
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。