单二极管

结果 : 4
技术
标准肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
40 V75 V150 V
电流 - 平均整流 (Io)
300mA1A3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
500 mV @ 3 A875 mV @ 1 A875 mV @ 4 A1.2 V @ 100 mA
反向恢复时间 (trr)
5 ns25 ns30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
500 nA @ 75 V1 µA @ 150 V5 µA @ 50 V100 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容
5pF @ 0V,1MHz25pF @ 10V,1MHz60pF @ 10V,1MHz-
封装/外壳
SQ-MELF,ASQ-MELF,BSQ-MELF,D
供应商器件封装
B,SQ-MELFD-5AD-5D
工作温度 - 结
-65°C ~ 125°C-65°C ~ 175°C
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
电流 - 平均整流 (Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
反向恢复时间 (trr)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 Vr、F 时电容
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
工作温度 - 结
SQ-MELF, A PKG
1N5806US
DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A
Microchip Technology
76,007
现货
1 : ¥48.02000
散装
-
散装
在售
标准
150 V
1A
875 mV @ 1 A
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
25 ns
1 µA @ 150 V
25pF @ 10V,1MHz
表面贴装型
SQ-MELF,A
D-5A
-65°C ~ 175°C
1N5802US
1N6642US
DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D
Microchip Technology
728
现货
1 : ¥51.97000
散装
-
散装
在售
标准
75 V
300mA
1.2 V @ 100 mA
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5 ns
500 nA @ 75 V
5pF @ 0V,1MHz
表面贴装型
SQ-MELF,D
D-5D
-65°C ~ 175°C
SQ-MELF
1N5822US
DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF
Microchip Technology
266
现货
1 : ¥626.46000
散装
-
散装
在售
肖特基
40 V
3A
500 mV @ 3 A
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
-
100 µA @ 40 V
-
表面贴装型
SQ-MELF,B
B,SQ-MELF
-65°C ~ 125°C
SQ-MELF
1N5811US
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥56.56000
散装
-
散装
在售
标准
150 V
3A
875 mV @ 4 A
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
30 ns
5 µA @ 50 V
60pF @ 10V,1MHz
表面贴装型
SQ-MELF,B
B,SQ-MELF
-65°C ~ 175°C
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单二极管


单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。