8-PowerTDFN 单 FET,MOSFET

结果 : 1,717
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoMicrochip TechnologyonsemiPanjit International Inc.Rohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-*Automotive, AEC-Q101CoolGaN™CoolMOS™ C6CoolMOS™ P6CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7DUAL COOL®Dual Cool™Dual Cool™, PowerTrench®Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V15 V20 V24 V25 V30 V34 V40 V45 V60 V65 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.35A(Ta),6.7A(Tc)2.3A(Tc)3A(Tc)3.2A(Ta),20A(Tc)3.4A(Ta)3.6A(Tc)3.8A(Tc)4A(Ta)4A(Ta),24A(Tc)4.2A(Tc)4.4A(Ta)4.4A(Ta),22A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,8V3V,8V3.2V,10V3.3V,10V4.5V,10V4.5V,7V4.5V,8V5V,10V6V6V,10V6.5V,10V7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.29 毫欧 @ 50A,10V0.35 毫欧 @ 50A,10V0.4 毫欧 @ 50A,10V0.42 毫欧 @ 50A,10V0.44 毫欧 @ 88A,10V0.45 毫欧 @ 30A,10V0.45 毫欧 @ 30A,7V0.45 毫欧 @ 50A,10V0.47 毫欧 @ 50A,10V0.48 毫欧 @ 50A,10V0.49 毫欧 @ 50A,10V0.52 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.1V @ 50µA1.2V @ 110µA1.2V @ 200µA1.2V @ 250µA1.2V @ 350µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.45V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.1 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 10 V3.6 nC @ 4.5 V3.8 nC @ 4.5 V4.3 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 10 V4.9 nC @ 10 V5 nC @ 10 V5 nC @ 4.5 V5.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-10V6V±7V±8V+10V,-8V±10V±12V+16V,-12V±16V±18V+20V,-12V+20V,-16V20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
87.7 pF @ 400 V110 pF @ 400 V140 pF @ 100 V157 pF @ 400 V169 pF @ 400 V200 pF @ 100 V203 pF @ 400 V225 pF @ 100 V230 pF @ 400 V266 pF @ 50 V328 pF @ 100 V344 pF @ 400 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
800mW(Ta)800mW(Ta),170W(Tc)830mW(Ta),104.2W(Tc)900mW(Ta),86.2W(Tc)960mW(Ta),170W(Tc)960mW(Ta),210W(Tc)1W(Ta),78W(Tc)1.1W(Ta)1.16W(Ta)1.18W(Ta)1.2W(Ta)1.2W(Ta),136W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 100°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装
8-DFNW(5.2x6.3)8-DFNW(8.3x8.4)8-DFN(4.9x5.75)8-DFN(5.1x6.3)8-DFN(5x6)8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道-非对称)8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)8-DFN(8x8)8-HSOP8-PDFNU(4.9x5.75)8-PDFNU(5x6)8-PDFN(3.3x3.3)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
1,717结果
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/ 1,717
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSZ130N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Infineon Technologies
28,124
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.16369
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
970 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
58,366
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.32478
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
60A(Ta)
4.5V,10V
2.3 毫欧 @ 25A,10V
1.8V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),108W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
IRFHM9331TRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Infineon Technologies
39,298
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.48594
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta),24A(Tc)
10V,20V
10 毫欧 @ 11A,20V
2.4V @ 25µA
48 nC @ 10 V
±25V
1543 pF @ 25 V
-
2.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PQFN(3x3)
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
27,654
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.72490
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
40A(Tc)
6V,10V
10 毫欧 @ 20A,10V
3.3V @ 14µA
15 nC @ 10 V
±20V
1075 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
18,558
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.73223
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
4.02 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 14µA
20 nC @ 10 V
±16V
1179 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Infineon Technologies
54,906
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.52300
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
13A(Ta),49A(Tc)
4.5V,10V
9.3 毫欧 @ 40A,10V
2V @ 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMP4015SPS-13
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
18,869
现货
37,500
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.63717
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 9.8A,10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC440N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Infineon Technologies
7,416
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.77233
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5.3A(Ta),18A(Tc)
6V,10V
44 毫欧 @ 12A,10V
3.5V @ 12µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
810 pF @ 50 V
-
29W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ086P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Infineon Technologies
5,807
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.78203
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta),40A(Tc)
6V,10V
8.6 毫欧 @ 20A,10V
3.1V @ 105µA
57.5 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
1,662
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.55770
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta),40A(Tc)
6V,10V
12 毫欧 @ 20A,10V
3.1V @ 73µA
45 nC @ 10 V
±25V
3360 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Infineon Technologies
93,027
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.62599
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
7A(Ta),23A(Tc)
6V,10V
34 毫欧 @ 12A,10V
3.5V @ 12µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
756 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),32W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
7,070
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.87365
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
7V,10V
3.68 毫欧 @ 40A,10V
3V @ 18µA
22 nC @ 10 V
±20V
1338 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
IPZ40N04S58R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Infineon Technologies
9,638
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.66516
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
7V,10V
8.4 毫欧 @ 20A,10V
3.4V @ 10µA
13.7 nC @ 10 V
±20V
771 pF @ 25 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
HSOP8
RS1E280BNTB
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Rohm Semiconductor
35,014
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.82385
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
28A(Ta),80A(Tc)
4.5V,10V
2.3 毫欧 @ 28A,10V
2.5V @ 1mA
94 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 15 V
-
3W(Ta),30W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC097N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Infineon Technologies
20,089
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.94479
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
46A(Tc)
6V,10V
9.7 毫欧 @ 40A,10V
3.3V @ 14µA
15 nC @ 10 V
±20V
1075 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
DFN5060
MCAC38N10YHE3-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
14,419
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.93617
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
38A
4.5V,10V
19 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 50 V
-
70W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
DFN5060
MCAC28P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
5,783
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.68643
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
28A
-
40 毫欧 @ 20A,10V
2.7V @ 250µA
19.3 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 30 V
-
60W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC059N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Infineon Technologies
56,929
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.72783
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
16A(Ta),73A(Tc)
4.5V,10V
5.9 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 23µA
40 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Infineon Technologies
21,191
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.97929
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
46A(Tc)
4.5V,10V
9.9 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 14µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ065N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Infineon Technologies
20,946
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.71889
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
CSD1632x Series 8-SON
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Texas Instruments
18,116
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.85932
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14A(Ta),44A(Tc)
3V,8V
10.3 毫欧 @ 10A,8V
1.8V @ 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
700 pF @ 15 V
-
2.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ086P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Infineon Technologies
14,227
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.75246
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.5A(Ta),40A(Tc)
6V,10V
8.6 毫欧 @ 20A,10V
3.1V @ 105µA
57.5 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ097N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
7,254
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.78269
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
9.7 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta),35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC054N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Infineon Technologies
30,325
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.09354
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
17A(Ta),81A(Tc)
10V
5.4 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 27µA
34 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Infineon Technologies
10,849
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.10863
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
18A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±20V
1463 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
2.1W(Ta),37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
显示
/ 1,717

8-PowerTDFN 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。