6.6A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRFR9120NTRPBF MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Infineon Technologies	32,022 现货	1 : ¥8.13000 剪切带（CT） 2,000 : ¥3.37499 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.6A（Tc）	10V	480 毫欧 @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PJW7N06A_R2_00001 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Panjit International Inc.	4,970 现货	1 : ¥4.27000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.43089 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	6.6A（Tc）	4.5V，10V	34 毫欧 @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	1173 pF @ 25 V	-	3.1W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-223	TO-261-4，TO-261AA
IRFR9120NTRLPBF MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Infineon Technologies	8,043 现货	1 : ¥9.36000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.86277 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.6A（Tc）	10V	480 毫欧 @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFIB7N50APBF MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3 Vishay Siliconix	759 现货	1 : ¥24.79000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	6.6A（Tc）	10V	520 毫欧 @ 4A，10V	4V @ 250µA	52 nC @ 10 V	±30V	1423 pF @ 25 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3 全封装，隔离接片
FQU8P10TU MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.6A（Tc）	10V	530 毫欧 @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±30V	470 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），44W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
NDD60N745U1-35G MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	6.6A（Tc）	10V	745 毫欧 @ 3.25A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±25V	440 pF @ 50 V	-	84W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
NDD60N745U1T4G MOSFET N-CH 600V 6.6A DPAK onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	6.6A（Tc）	10V	745 毫欧 @ 3.25A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±25V	440 pF @ 50 V	-	84W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FQP7N80C MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	6.6A（Tc）	10V	1.9 欧姆 @ 3.3A，10V	5V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±30V	1680 pF @ 25 V	-	167W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
SPA07N60CFDXKSA1 MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP Infineon Technologies	0 现货	停产	CoolMOS™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	6.6A（Tc）	10V	700 毫欧 @ 4.6A，10V	5V @ 300µA	47 nC @ 10 V	±20V	790 pF @ 25 V	-	32W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-3-31	TO-220-3 整包
FQD8P10TM-F085 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK onsemi	11 现货	1 : ¥10.92000 剪切带（CT） 2,500 : ¥4.52601 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.6A（Tc）	10V	530 毫欧 @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±30V	470 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），44W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FQD8P10TM MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK onsemi	0 现货查看交期	1 : ¥6.49000 剪切带（CT） 2,500 : ¥2.46704 卷带（TR）	QFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.6A（Tc）	10V	530 毫欧 @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±30V	470 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），44W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPN50R950CEATMA1 MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 Infineon Technologies	19 现货	1 : ¥5.01000 剪切带（CT）	CoolMOS™ CE	卷带（TR）剪切带（CT）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	6.6A（Tc）	13V	950 毫欧 @ 1.2A，13V	3.5V @ 100µA	10.5 nC @ 10 V	±20V	231 pF @ 100 V	-	5W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-SOT223	TO-261-4，TO-261AA
IRFIB7N50A MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3 Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	6.6A（Tc）	10V	520 毫欧 @ 4A，10V	4V @ 250µA	52 nC @ 10 V	±30V	1423 pF @ 25 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3 全封装，隔离接片
IRFU9120N MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.6A（Tc）	10V	480 毫欧 @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK（TO-251AA）	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
IRFR9120NTRL MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.6A（Tc）	10V	480 毫欧 @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR9120NTRR MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.6A（Tc）	10V	480 毫欧 @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR9120NPBF MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.6A（Tc）	10V	480 毫欧 @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFU9120NPBF MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.6A（Tc）	10V	480 毫欧 @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK（TO-251AA）	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
FQP7N20 MOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	6.6A（Tc）	10V	690 毫欧 @ 3.3A，10V	5V @ 250µA	10 nC @ 10 V	±30V	400 pF @ 25 V	-	63W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQD8P10TF MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.6A（Tc）	10V	530 毫欧 @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±30V	470 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），44W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FQB7N20TM MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	6.6A（Tc）	10V	690 毫欧 @ 3.3A，10V	5V @ 250µA	10 nC @ 10 V	±30V	400 pF @ 25 V	-	3.13W（Ta），63W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FQPF7N80C MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	6.6A（Tc）	10V	1.9 欧姆 @ 3.3A，10V	5V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±30V	1680 pF @ 25 V	-	56W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
FQP7N80 MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	6.6A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 3.3A，10V	5V @ 250µA	52 nC @ 10 V	±30V	1850 pF @ 25 V	-	167W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQI7N80TU MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	6.6A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 3.3A，10V	5V @ 250µA	52 nC @ 10 V	±30V	1850 pF @ 25 V	-	3.13W（Ta），167W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262（I2PAK）	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
FQB7N80TM_AM002 MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	6.6A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 3.3A，10V	5V @ 250µA	52 nC @ 10 V	±30V	1850 pF @ 25 V	-	3.13W（Ta），167W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB