56A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 109
制造商
Comchip TechnologyDiodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-Automotive, AEC-Q101CoolSiC™HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Ultra XHiPerFET™, Ultra X3OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™5POWER MOS 8™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V75 V100 V120 V150 V200 V230 V300 V400 V500 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V5V,10V6V,10V8V,10V10V15V,18V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.9 毫欧 @ 56A,10V4.9 毫欧 @ 56A,10V5.1 毫欧 @ 55A,10V5.3 毫欧 @ 28A,10V6毫欧 @ 56A,10V6.4 毫欧 @ 25A,10V6.7 毫欧 @ 28A,10V7.5 毫欧 @ 28A,10V7.9 毫欧 @ 43A,10V8.4 毫欧 @ 47A,10V9 毫欧 @ 46A,10V9 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 1mA2.1V @ 1mA2.25V @ 250µA2.25V @ 25µA2.5V @ 100µA2.5V @ 1mA2.5V @ 300µA2.5V @ 500µA2.6V @ 250µA3.3V @ 36µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.5 nC @ 4.5 V14 nC @ 4.5 V19.5 nC @ 10 V20.5 nC @ 5 V21 nC @ 5 V23.1 nC @ 10 V30.1 nC @ 10 V34 nC @ 10 V36 nC @ 10 V39 nC @ 5 V42.8 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±15V±16V+18V,-15V+18V,-5V±20V+21V,-4V+22V,-20V+22V,-4V+23V,-7V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
950 pF @ 25 V1150 pF @ 15 V1231 pF @ 25 V1337 pF @ 800 V1619 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V1820 pF @ 75 V1990 pF @ 800 V2000 pF @ 25 V2110 pF @ 25 V2120 pF @ 800 V2150 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),83W(Tc)2.7W(Ta),94W(Tc)3W(Ta)33W(Tc)36W(Tc)42W(Tc)45W(Tc)50W(Tc)62W(Tc)62.5W(Tc)83W(Tc)85W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-DFN(5x6)8-HSOPD2PAKD3PAKDPAKIPAKIPAK(TO-251AA)ISOTOP®LFPAK33LFPAK56,Power-SO8PG-TDSON-8-7PG-TO220 整包
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNSC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3 变式TO-247-3TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
109结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 109
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y19-100EX
MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8
Nexperia USA Inc.
5,970
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.30181
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
56A(Tc)
10V
-
-
-
±20V
-
-
169W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO252-3
IRFR2405TRPBF
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Infineon Technologies
62,939
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.88136
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
56A(Tc)
10V
16 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
2430 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR1018ETRPBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Infineon Technologies
20,854
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.41218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
56A(Tc)
10V
8.4 毫欧 @ 47A,10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 50 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR3607TRPBF
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Infineon Technologies
16,863
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.11042
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
56A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 46A,10V
4V @ 100µA
84 nC @ 10 V
±20V
3070 pF @ 50 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR4510TRPBF
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Infineon Technologies
30,396
现货
1 : ¥15.11000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.79632
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
56A(Tc)
10V
13.9 毫欧 @ 38A,10V
4V @ 100µA
81 nC @ 10 V
±20V
3031 pF @ 50 V
-
143W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB PKG
IRFB260NPBF
MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB
Infineon Technologies
1,310
现货
1 : ¥22.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
56A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 250µA
220 nC @ 10 V
±20V
4220 pF @ 25 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
8-Power TDFN
BSC160N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Infineon Technologies
10,358
现货
1 : ¥22.82000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.88924
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
56A(Tc)
8V,10V
16 毫欧 @ 28A,10V
4.6V @ 60µA
23.1 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R030M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Infineon Technologies
760
现货
1 : ¥167.72000
剪切带(CT)
1,000 : ¥109.49521
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
56A(Tc)
-
41 毫欧 @ 25A,18V
5.7V @ 11.5mA
63 nC @ 18 V
+18V,-15V
2290 pF @ 800 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO252-3
IRF40R207
MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Infineon Technologies
12,060
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.95266
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
56A(Tc)
6V,10V
5.1 毫欧 @ 55A,10V
3.9V @ 50µA
68 nC @ 10 V
±20V
2110 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR7546TRPBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Infineon Technologies
8,467
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.38628
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
56A(Tc)
6V,10V
7.9 毫欧 @ 43A,10V
3.7V @ 100µA
87 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 25 V
-
99W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerFlat™
STL56N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,060
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.62169
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
56A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 7.5A,10V
1V @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
+22V,-20V
950 pF @ 25 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO252-3
IRFR7446TRPBF
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Infineon Technologies
9,961
现货
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.09819
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
56A(Tc)
6V,10V
3.9 毫欧 @ 56A,10V
3.9V @ 100µA
130 nC @ 10 V
±20V
3150 pF @ 25 V
-
98W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
HUF75639P3
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
onsemi
342
现货
1 : ¥20.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
56A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 56A,10V
4V @ 250µA
130 nC @ 20 V
±20V
2000 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
HSOP8
RS1L151ATTB1
PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
Rohm Semiconductor
10,197
现货
1 : ¥22.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.02752
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
56A(Tc)
4.5V,10V
11.3 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 1mA
130 nC @ 10 V
±20V
6900 pF @ 30 V
-
3W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
3,401
现货
1 : ¥23.56000
剪切带(CT)
4,000 : ¥11.45537
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
56A(Tc)
8V,10V
16 毫欧 @ 28A,10V
4.6V @ 60µA
23.1 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TO-247_IXFH
IXFH56N30X3
MOSFET N-CH 300V 56A TO247
Littelfuse Inc.
1,316
现货
780
工厂
1 : ¥86.69000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
56A(Tc)
10V
27 毫欧 @ 28A,10V
4.5V @ 1.5mA
56 nC @ 10 V
±20V
3750 pF @ 25 V
-
320W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Infineon Technologies
1,648
现货
1 : ¥159.18000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
56A(Tc)
15V,18V
40 毫欧 @ 25A,18V
5.7V @ 10mA
63 nC @ 18 V
+23V,-7V
2120 pF @ 800 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
IMZ120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Infineon Technologies
246
现货
1 : ¥167.80000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
56A(Tc)
15V,18V
40 毫欧 @ 25A,18V
5.7V @ 10mA
63 nC @ 18 V
+23V,-7V
2120 pF @ 800 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-1
TO-247-4
SCT4026DRHRC15
SCT4026DRC15
750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
3,841
现货
1 : ¥174.53000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
750 V
56A(Tc)
18V
34 毫欧 @ 29A,18V
4.8V @ 15.4mA
94 nC @ 18 V
+21V,-4V
2320 pF @ 500 V
-
176W
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
LFPAK33
BUK7M10-40EX
MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,670
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.98361
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
56A(Tc)
10V
10 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
19.5 nC @ 10 V
±20V
1231 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y14-40B,115
MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
7,253
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.89790
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
56A(Tc)
5V
11 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 1mA
21 nC @ 5 V
±15V
1800 pF @ 25 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN019-100YLX
MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,990
现货
1 : ¥9.60000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.20909
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
56A(Tc)
5V,10V
18 毫欧 @ 15A,10V
2.1V @ 1mA
72.4 nC @ 10 V
±20V
5085 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y19-100E,115
MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
16,480
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.86913
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
56A(Tc)
5V
18 毫欧 @ 15A,10V
2.1V @ 1mA
39 nC @ 5 V
±10V
5085 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO252-3
IRFR2405TRLPBF
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Infineon Technologies
3,799
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.42588
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
56A(Tc)
10V
16 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
2430 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IPAK (TO-251AA)
IRFU3607PBF
MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Infineon Technologies
723
现货
1 : ¥13.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
56A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 46A,10V
4V @ 100µA
84 nC @ 10 V
±20V
3070 pF @ 50 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
显示
/ 109

56A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。