单 FET,MOSFET

结果 : 650
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesInventchipIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi Corporation
系列
-C2M™C3M™CoolSiC™CoolSiC™ Gen 2EE SeriesE-SeriesEasyPACK™G3R™G3R™, LoRing™HiPerFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Tc)500mA(Tc)600mA(Tc)800mA(Tc)1A(Tc)1.4A(Tc)1.5A(Tc)2.4A(Tc)3A(Tc)3A(Tc)(95°C)3.5A(Tc)4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,20V10V12V15V15V,18V16V,20V18V18V,20V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.7 毫欧 @ 89.9A,18V9.9 毫欧 @ 108A,18V10 毫欧 @ 100A11毫欧 @ 100A,12V11.3 毫欧 @ 93A,20V12.2 毫欧 @ 56.7A,18V13 毫欧 @ 100A, 18V16 毫欧 @ 80A,20V16.2 毫欧 @ 50A,18V17 毫欧 @ 100A,20V17 毫欧 @ 84.29A,15V17.1 毫欧 @ 40.4A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 1mA(典型值)2.3V @ 2mA2.4V @ 10mA2.5V @ 1mA2.5V @ 500µA2.6V @ 1mA(典型值)2.6V @ 2mA2.69V @ 10mA2.69V @ 12mA2.69V @ 15mA2.69V @ 2mA2.69V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.7 nC @ 10 V5.3 nC @ 10 V5.3 nC @ 18 V5.9 nC @ 18 V7.9 nC @ 18 V8.5 nC @ 18 V9.4 nC @ 18 V9.7 nC @ 18 V10 nC @ 15 V12 nC @ 15 V13 nC @ 15 V13 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
-8V,+19V+15V,-4V+15V,-5V±15V+18V,-15V+18V,-3V+18V,-5V+18V,-8V+19V,-8V+20V,-10V+20V,-5V+20V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
104 pF @ 25 V120 pF @ 25 V124 pF @ 100 V170 pF @ 800 V182 pF @ 800 V196 pF @ 800 V206 pF @ 800 V236 pF @ 25 V255 pF @ 1000 V258 pF @ 1.2 kV259 pF @ 1000 V270 pF @ 25 V
FET 功能
-电流检测耗尽模式
功率耗散(最大值)
313mW(Tj)3.7W(Ta),468W(Tc)15W(Tc)33W(Tc)40W(Tc)40.8W(Tc)42W(Tc)44W(Tc)48W(Tc)50W(Tc)60W(Tc)62.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 135°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
-D2PAK-7D2PAK-7LD3D3PAKH2Pak-2H2PAK-2H2PAK-7HiP247™HiP247™ 长引线HU3PAKISOPLUS247™
封装/外壳
-D-3 模块ISOPLUSi5-PAK™PLUS-220SMDSOT-227-4,miniBLOCSP1SP6TO-220-3TO-220-3 整包TO-220-3(SMT)标片TO-247-3TO-247-3 变式
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
650结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 650
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
H2PAK
STH2N120K5-2AG
MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
STMicroelectronics
2,126
现货
1 : ¥36.29000
剪切带(CT)
1,000 : ¥18.74971
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
1.5A(Tc)
10V
10 欧姆 @ 500mA,10V
4V @ 100µA
5.3 nC @ 10 V
±30V
124 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IMBG120R350M1HXTMA1
IMBG120R350M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Infineon Technologies
1,822
现货
1 : ¥51.31000
剪切带(CT)
1,000 : ¥29.05672
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
4.7A(Tc)
-
468 毫欧 @ 2A,18V
5.7V @ 1mA
5.9 nC @ 18 V
+18V,-15V
196 pF @ 800 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
339
现货
1 : ¥53.53000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
22A(Tc)
15V
192 毫欧 @ 10A,15V
2.69V @ 5mA
28 nC @ 15 V
±15V
730 pF @ 800 V
-
123W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0350120D
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,898
现货
1 : ¥60.75000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
7.6A(Tc)
15V
455 毫欧 @ 3.6A,15V
3.6V @ 1mA
19 nC @ 15 V
+15V,-4V
345 pF @ 1000 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
IXFP3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Littelfuse Inc.
4,866
现货
450
工厂
1 : ¥68.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
3A(Tc)
10V
4.5 欧姆 @ 500mA,10V
5V @ 1.5mA
39 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
UF3C120080B7S
UF3C120080B7S
SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Qorvo
4,885
现货
1 : ¥74.71000
剪切带(CT)
800 : ¥62.60030
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
28.8A(Tc)
-
105 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
23 nC @ 12 V
±25V
754 pF @ 100 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
2,005
现货
1 : ¥82.84000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
17A(Tc)
18V
208 毫欧 @ 5A,18V
5.6V @ 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V,-4V
398 pF @ 800 V
-
103W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-263AB
IXFA6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Littelfuse Inc.
3,694
现货
1 : ¥83.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
6A(Tc)
10V
2.4 欧姆 @ 500mA,10V
5V @ 1mA
92 nC @ 10 V
±30V
2830 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA(IXFA)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
STMicroelectronics
597
现货
1 : ¥84.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
12A(Tc)
10V
690 毫欧 @ 6A,10V
5V @ 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3L
UF3C120080K3S
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Qorvo
17,619
现货
1 : ¥84.32000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
33A(Tc)
12V
100 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
254.2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3L
UJ3C120080K3S
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Qorvo
5,540
现货
1 : ¥84.48000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
33A(Tc)
12V
100 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
254.2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
H2PAK
STH13N120K5-2AG
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STMicroelectronics
1,841
现货
1 : ¥84.64000
剪切带(CT)
1,000 : ¥48.02301
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
12A(Tc)
10V
690 毫欧 @ 6A,10V
5V @ 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3
G3R75MT12D
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
3,414
现货
1 : ¥86.20000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V,-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247B
APT13F120B
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
Microchip Technology
154
现货
1 : ¥87.11000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
14A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 7A,10V
5V @ 1mA
145 nC @ 10 V
±30V
4765 pF @ 25 V
-
625W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
TO-220-3
STP12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
STMicroelectronics
950
现货
1 : ¥88.34000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
12A(Tc)
10V
690 毫欧 @ 6A,10V
5V @ 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
631
现货
1 : ¥88.42000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V,-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
H2PAK
STH12N120K5-2
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STMicroelectronics
1,022
现货
1 : ¥89.24000
剪切带(CT)
1,000 : ¥56.51465
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
12A(Tc)
10V
690 毫欧 @ 6A,10V
5V @ 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
C2D10120D
C2M0280120D
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
14,348
现货
1 : ¥89.98000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
10A(Tc)
20V
370 毫欧 @ 6A,20V
2.8V @ 1.25mA(典型值)
20.4 nC @ 20 V
+25V,-10V
259 pF @ 1000 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT12J-TR
G3R75MT12J-TR
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
GeneSiC Semiconductor
5,658
现货
1 : ¥90.55000
剪切带(CT)
800 : ¥68.47046
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
38A(Tc)
15V,18V
85 毫欧 @ 20A,18V
2.7V @ 10mA
47 nC @ 15 V
+22V,-10V
1545 pF @ 800 V
-
196W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247N
SCT2450KEGC11
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Rohm Semiconductor
110
现货
1 : ¥93.67000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
10A(Tc)
18V
585 毫欧 @ 3A,18V
4V @ 900µA
27 nC @ 18 V
+22V,-6V
463 pF @ 800 V
-
85W(Tc)
175°C
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
CoolSiC Series
IMZ120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Infineon Technologies
259
现货
1 : ¥95.07000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
36A(Tc)
15V,18V
78 毫欧 @ 13A,18V
5.7V @ 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V,-7V
1060 pF @ 800 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-1
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Infineon Technologies
416
现货
1 : ¥98.27000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
36A(Tc)
15V,18V
78 毫欧 @ 13A,18V
5.7V @ 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V,-7V
1060 pF @ 800 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3
MSC080SMA120B
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Microchip Technology
224
现货
1 : ¥105.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
37A(Tc)
20V
100 毫欧 @ 15A,20V
2.8V @ 1mA
64 nC @ 20 V
+23V,-10V
838 pF @ 1000 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
AIMW120R080M1XKSA1
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Infineon Technologies
105
现货
1 : ¥119.13000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
33A(Tc)
15V
104 毫欧 @ 13A,15V
5.7V @ 5.6mA
28 nC @ 15 V
+20V,-7V
1060 pF @ 800 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
H2PAK
SCT20N120H
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
STMicroelectronics
480
现货
1 : ¥128.57000
剪切带(CT)
1,000 : ¥81.40009
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
20A(Tc)
20V
290 毫欧 @ 10A,20V
3.5V @ 1mA
45 nC @ 20 V
+25V,-10V
650 pF @ 400 V
-
175W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
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表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 650

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。