Name: STH2N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH2N120K5-2AGTR-ND
Price: 46.23 CNY
Availability: InStock

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STH2N120K5-2AG
DigiKey 零件编号	497-STH2N120K5-2AGTR-ND - 卷带（TR） 497-STH2N120K5-2AGCT-ND - 剪切带（CT） 497-STH2N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	STMicroelectronics
制造商产品编号	STH2N120K5-2AG
描述	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 1200 V 1.5A（Tc） 60W（Tc） H2PAK-2
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	STH2N120K5-2AG 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5.3 nC @ 10 V
制造商 STMicroelectronics	Vgs（最大值） ±30V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 124 pF @ 100 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 60W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 1200 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.5A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	供应商器件封装 H2PAK-2
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 10 欧姆 @ 500mA，10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 100µA	基本产品编号 STH2N120