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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.7 nC @ 10 V |
系列 | Vgs(最大值) ±20V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 104 pF @ 25 V |
零件状态 在售 | 功率耗散(最大值) 33W(Tc) |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压(Vdss) 1200 V | 供应商器件封装 TO-252AA |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 75 欧姆 @ 500mA,10V |
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| 数量 | 单价 (含 13% 增值税) | 总价 (含 13% 增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥28.04000 | ¥28.04 |
| 70 | ¥13.30171 | ¥931.12 |
| 140 | ¥12.04879 | ¥1,686.83 |
| 560 | ¥10.10682 | ¥5,659.82 |
| 1,050 | ¥9.42511 | ¥9,896.37 |
| 2,030 | ¥8.81651 | ¥17,897.52 |
| 5,040 | ¥8.15835 | ¥41,118.08 |
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