W971GG6SB-25 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接

W971GG6NB-25
Winbond Electronics
现货: 250
单价: ¥25.94000
规格书

类似

IS43DR16640B-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
现货: 108
单价: ¥73.15000
规格书

类似

IS43DR16640B-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
现货: 249
单价: ¥69.37000
规格书

类似

IS43DR16640C-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
现货: 8,025
单价: ¥32.92000
规格书

类似

IS46DR16640B-25EBLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
现货: 0
单价: ¥0.00000
规格书

类似

MT47H64M16NF-25E AAT:M
Micron Technology Inc.
现货: 1,274
单价: ¥46.96000

类似

MT47H64M16NF-25E AIT:M
Micron Technology Inc.
现货: 948
单价: ¥40.88000
规格书

类似

MT47H64M16NF-25E IT:M
Micron Technology Inc.
现货: 665
单价: ¥40.14000
规格书

类似

MT47H64M16NF-25E:M
Micron Technology Inc.
现货: 3,857
单价: ¥36.45000
规格书
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W971GG6SB-25

DigiKey 零件编号
W971GG6SB-25-ND
制造商
Winbond Electronics
制造商产品编号
W971GG6SB-25
描述
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
客户内部零件编号
详细描述
SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb 并联 200 MHz 57.5 ns 84-WBGA（8x12.5）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
W971GG6SB-25 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Winbond Electronics
系列
-
包装
托盘
零件状态
停产
DigiKey 可编程
未验证
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR2
存储容量
1Gb
存储器组织
64M x 16
存储器接口
并联
时钟频率
200 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns
访问时间
57.5 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
工作温度
0°C ~ 85°C（TC）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
84-TFBGA
供应商器件封装
84-WBGA（8x12.5）
基本产品编号
W971GG6
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