SQUN700E-T1_GE3 Vishay Siliconix | 分立半导体产品

SQUN700E-T1_GE3
DigiKey 零件编号	742-SQUN700E-T1_GE3TR-ND - 卷带（TR） 742-SQUN700E-T1_GE3CT-ND - 剪切带（CT） 742-SQUN700E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SQUN700E-T1_GE3
描述	MOSFET 2N-CH 200V/40V 16A DIE
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 200V，40V 16A（Tc），30A（Tc） 50W（Tc），48W（Tc）表面贴装型模具
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	Digi-Key 停止提供
技术	MOSFET（金属氧化物）
配置	2 N 沟道（双），P 沟道
FET 功能	-
漏源电压（Vdss）	200V，40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	16A（Tc），30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9.2 毫欧 @ 9.8A，10V，75 毫欧 @ 5A，10V，30 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 250µA，2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	23nC @ 10V，11nC @ 10V，30.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1474pF @ 20V，600pF @ 100V，1302pF @ 100V
功率 - 最大值	50W（Tc），48W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	模具
供应商器件封装	模具
基本产品编号	SQUN700

SQUN700E-T1_GE3