Name: SQM120P10_10M1LGE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120P10_10M1LGE3TR-ND
Price: 30 CNY
Availability: OutOfStock

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SQM120P10_10M1LGE3
DigiKey 零件编号	SQM120P10_10M1LGE3TR-ND - 卷带（TR） SQM120P10_10M1LGE3CT-ND - 剪切带（CT） SQM120P10_10M1LGE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SQM120P10_10M1LGE3
描述	MOSFET P-CH 100V 120A TO263
原厂标准交货期	42 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 100 V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SQM120P10_10M1LGE3 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10.1 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	190 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	9000 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	375W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263（D2PAK）
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	SQM120