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市场产品
SIZ250DT-T1-GE3 | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | 742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） 742-SIZ250DT-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） 742-SIZ250DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | SIZ250DT-T1-GE3 | |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 14A 8PWRPAIR | |
原厂标准交货期 | 18 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | MOSFET - 阵列 60V 14A（Ta），38A（Tc） 4.3W（Ta），33W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（3.3x3.3） | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | SIZ250DT-T1-GE3 型号 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 60V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta），38A（Tc） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12.2 毫欧 @ 10A，10V，12.7 毫欧 @ 10A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 840pF @ 30V，790pF @ 30V | |
功率 - 最大值 | 4.3W（Ta），33W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN | |
供应商器件封装 | 8-PowerPair®（3.3x3.3） | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.52000 | ¥9.52 |
| 10 | ¥7.79100 | ¥77.91 |
| 100 | ¥6.05930 | ¥605.93 |
| 500 | ¥5.13610 | ¥2,568.05 |
| 1,000 | ¥4.18389 | ¥4,183.89 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥3.93860 | ¥11,815.80 |
| 6,000 | ¥3.75104 | ¥22,506.24 |
| 9,000 | ¥3.57793 | ¥32,201.37 |
制造商标准包装
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