SISS65DN-T1-GE3 | ||
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DigiKey 零件编号 | SISS65DN-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR) SISS65DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT) SISS65DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | SISS65DN-T1-GE3 | |
描述 | MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK | |
原厂标准交货期 | 18 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 25.9A(Ta),94A(Tc) 5.1W(Ta),65.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8S | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | SISS65DN-T1-GE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 30 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.6 毫欧 @ 15A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 138 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4930 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 5.1W(Ta),65.8W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8S | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥7.14000 | ¥7.14 |
10 | ¥6.18200 | ¥61.82 |
100 | ¥4.28120 | ¥428.12 |
500 | ¥3.57746 | ¥1,788.73 |
1,000 | ¥3.04460 | ¥3,044.60 |
卷带(TR)
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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3,000 | ¥2.71160 | ¥8,134.80 |
6,000 | ¥2.56890 | ¥15,413.40 |
9,000 | ¥2.37860 | ¥21,407.40 |
30,000 | ¥2.35506 | ¥70,651.80 |
制造商标准包装
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