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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SISS65DN-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SISS65DN-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SISS65DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SISS65DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SISS65DN-T1-GE3 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK |
原厂标准交货期 | 24 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 25.9A（Ta），94A（Tc） 5.1W（Ta），65.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8S |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SISS65DN-T1-GE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 30 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.6 毫欧 @ 15A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 138 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4930 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 5.1W（Ta），65.8W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8S | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
现货: 63,385
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数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.67000 | ¥10.67 |
| 10 | ¥6.72300 | ¥67.23 |
| 100 | ¥4.43900 | ¥443.90 |
| 500 | ¥3.45828 | ¥1,729.14 |
| 1,000 | ¥3.14248 | ¥3,142.48 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥2.74143 | ¥8,224.29 |
| 6,000 | ¥2.53956 | ¥15,237.36 |
| 9,000 | ¥2.43673 | ¥21,930.57 |
| 15,000 | ¥2.37230 | ¥35,584.50 |
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