Name: SISS61DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS61DN-T1-GE3TR-ND
Price: 12.57 CNY
Availability: InStock

SISS61DN-T1-GE3
DigiKey 零件编号	SISS61DN-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SISS61DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SISS61DN-T1-GE3
描述	MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 20 V 30.9A（Ta），111.9A（Tc） 5W（Ta），65.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8S
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SISS61DN-T1-GE3 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET® Gen III
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30.9A（Ta），111.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.5 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	231 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	8740 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5W（Ta），65.8W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® 1212-8S
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8S
基本产品编号	SISS61

SISS61DN-T1-GE3