SIHFS9N60A-GE3 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:
SIHFS9N60A-GE3 | ||
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DigiKey 零件编号 | SIHFS9N60A-GE3-ND - 卷带(TR) | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | SIHFS9N60A-GE3 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263 | |
原厂标准交货期 | 20 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 600 V 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-263(D2PAK) | |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 卷带(TR) | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 600 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 750 毫欧 @ 5.5A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 49 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1400 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 170W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-263(D2PAK) | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
卷带(TR)
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1,000 | ¥8.02111 | ¥8,021.11 |
2,000 | ¥7.62008 | ¥15,240.16 |
5,000 | ¥7.33361 | ¥36,668.05 |
10,000 | ¥7.09082 | ¥70,908.20 |
制造商标准包装
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1 种货品