SIDR5802EP-T1-RE3 | ||
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DigiKey 零件编号 | 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - 卷带(TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - 剪切带(CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | SIDR5802EP-T1-RE3 | |
描述 | N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET | |
原厂标准交货期 | 46 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 80 V 34.2A(Ta), 153A(Tc) 7.5W(Ta),150W(Tc) PowerPAK® SO-8DC | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | SIDR5802EP-T1-RE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 80 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 7.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.9 毫欧 @ 20A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 60 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3020 pF @ 40 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 7.5W(Ta),150W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8DC | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥22.66000 | ¥22.66 |
10 | ¥18.84900 | ¥188.49 |
100 | ¥15.00420 | ¥1,500.42 |
500 | ¥12.69592 | ¥6,347.96 |
1,000 | ¥10.77222 | ¥10,772.22 |
卷带(TR)
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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3,000 | ¥10.23364 | ¥30,700.92 |
6,000 | ¥9.84891 | ¥59,093.46 |
制造商标准包装
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